FGH40N60SMD,759-9279,Fairchild Semiconductor FGH40N60SMD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装 ,Fairchild Semiconductor
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FGH40N60SMD
Fairchild Semiconductor FGH40N60SMD N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
制造商零件编号:
FGH40N60SMD
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9279
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FGH40N60SMD产品详细信息
分离式 IGBT,Fairchild Semiconductor
FGH40N60SMD产品技术参数
安装类型
通孔
长度
15.6mm
尺寸
15.6 x 4.7 x 20.6mm
封装类型
TO-247
高度
20.6mm
晶体管配置
单
宽度
4.7mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大功率耗散
349 W
最大集电极-发射极电压
600 V
最大连续集电极电流
80 A
最大栅极发射极电压
±20V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+175 °C
关键词
FGH40N60SMD配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Bergquist Sil-Pad 400 电子散热垫 SP400-0.007-00-104, 0.9W/m·K, 25.4 x 19.05mm, 0.178mm厚
制造商零件编号:
SP400-0.007-00-104
品牌:
Bergquist
库存编号:
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Murata Power Solutions MGJ2 系列 2W 隔离式直流-直流转换器 MGJ2D051509SC, 4.5 → 5.5 V 直流输入, -8.7 V dc, 15 V dc输出
制造商零件编号:
MGJ2D051509SC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
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Murata Power Solutions MGJ3 系列 3W 隔离式直流-直流转换器 MGJ3T12150505MC-R7, 9 → 18 V 直流输入, 5 V, 15 V输出, 120mA输出
制造商零件编号:
MGJ3T12150505MC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
852-6799
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FGH40N60SMD关联产品
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon IRGP4640DPBF N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AC封装
制造商零件编号:
IRGP4640DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
787-1115
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Fairchild Semiconductor 长度 15.6mm
IGBT 晶体管 长度 15.6mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 长度 15.6mm
尺寸 15.6 x 4.7 x 20.6mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 15.6 x 4.7 x 20.6mm
IGBT 晶体管 尺寸 15.6 x 4.7 x 20.6mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 尺寸 15.6 x 4.7 x 20.6mm
封装类型 TO-247
Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-247
IGBT 晶体管 封装类型 TO-247
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 封装类型 TO-247
高度 20.6mm
Fairchild Semiconductor 高度 20.6mm
IGBT 晶体管 高度 20.6mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 高度 20.6mm
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
IGBT 晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.7mm
Fairchild Semiconductor 宽度 4.7mm
IGBT 晶体管 宽度 4.7mm
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通道类型 N
Fairchild Semiconductor 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
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引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 349 W
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 349 W
IGBT 晶体管 最大功率耗散 349 W
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管 最大功率耗散 349 W
最大集电极-发射极电压 600 V
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IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
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最高工作温度 +175 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +175 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C
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FGH40N60SMD产品技术参数资料
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FGH40N60SMD, 600V 40A Field Stop IGBT
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