GT8G151,LQ(O,756-0568,Toshiba GT8G151,LQ(O N沟道 IGBT, 150 A, Vce=400 V, 2.4μs, 8引脚 TSON封装 ,Toshiba
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GT8G151,LQ(O
Toshiba GT8G151,LQ(O N沟道 IGBT, 150 A, Vce=400 V, 2.4μs, 8引脚 TSON封装
制造商零件编号:
GT8G151,LQ(O
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
756-0568
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
GT8G151,LQ(O产品详细信息
IGBT 分立,Toshiba
GT8G151,LQ(O产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.1mm
尺寸
3.1 x 3.1 x 0.85mm
封装类型
TSON
高度
0.85mm
晶体管配置
单
开关速度
2.4μs
宽度
3.1mm
通道类型
N
引脚数目
8
最大功率耗散
830 mW
最大集电极-发射极电压
400 V
最大连续集电极电流
150 A
最大栅极发射极电压
±4V
最高工作温度
+150 °C
关键词
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IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 3.1mm
Toshiba 长度 3.1mm
IGBT 晶体管 长度 3.1mm
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尺寸 3.1 x 3.1 x 0.85mm
Toshiba 尺寸 3.1 x 3.1 x 0.85mm
IGBT 晶体管 尺寸 3.1 x 3.1 x 0.85mm
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封装类型 TSON
Toshiba 封装类型 TSON
IGBT 晶体管 封装类型 TSON
Toshiba IGBT 晶体管 封装类型 TSON
高度 0.85mm
Toshiba 高度 0.85mm
IGBT 晶体管 高度 0.85mm
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晶体管配置 单
Toshiba 晶体管配置 单
IGBT 晶体管 晶体管配置 单
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开关速度 2.4μs
Toshiba 开关速度 2.4μs
IGBT 晶体管 开关速度 2.4μs
Toshiba IGBT 晶体管 开关速度 2.4μs
宽度 3.1mm
Toshiba 宽度 3.1mm
IGBT 晶体管 宽度 3.1mm
Toshiba IGBT 晶体管 宽度 3.1mm
通道类型 N
Toshiba 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
Toshiba IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 8
Toshiba 引脚数目 8
IGBT 晶体管 引脚数目 8
Toshiba IGBT 晶体管 引脚数目 8
最大功率耗散 830 mW
Toshiba 最大功率耗散 830 mW
IGBT 晶体管 最大功率耗散 830 mW
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最大集电极-发射极电压 400 V
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IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 400 V
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最大连续集电极电流 150 A
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IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 150 A
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最大栅极发射极电压 ±4V
Toshiba 最大栅极发射极电压 ±4V
IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±4V
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最高工作温度 +150 °C
Toshiba 最高工作温度 +150 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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邮箱:
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GT8G151,LQ(O产品技术参数资料
GT8G151,Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
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