GT40J322(Q),756-0546,Toshiba GT40J322(Q) N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 0.2μs, 3引脚 TO-3PN封装 ,Toshiba
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Toshiba GT40J322(Q) N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 0.2μs, 3引脚 TO-3PN封装

制造商零件编号：
GT40J322(Q)
制造商：
Toshiba Toshiba
库存编号：
756-0546
Toshiba GT40J322(Q)
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

GT40J322(Q)产品详细信息

IGBT 分立，Toshiba

GT40J322(Q)产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  20mm  
  尺寸  20 x 15.9 x 4.8mm  
  封装类型  TO-3PN  
  高度  4.8mm  
  晶体管配置  单  
  开关速度  0.2μs  
  宽度  15.9mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  120 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  40 A  
  最大栅极发射极电压  ±25V  
  最高工作温度  +150 °C  
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