IGW75N60T,754-5395,Infineon IGW75N60T IGBT, 150 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装 ,Infineon
一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop? 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。
• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
• 极低的 VCEsat
• 低断开损耗
• 短尾线电流
• 低 EMI
• 最大接点温度为 175°C
|
|
|
|
|
