IHW30N160R2,752-8334,Infineon IHW30N160R2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1600 V, 3引脚 TO-247封装 ,Infineon
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Infineon IHW30N160R2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1600 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
IHW30N160R2
库存编号：
752-8334
Infineon IHW30N160R2
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IHW30N160R2产品详细信息

Infineon TrenchStop IGBT 晶体管，电压 1100 至 1600V

一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管，带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极，采用 TrenchStop? 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。

• 集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V
• 极低 VCEsat
• 低关闭损耗
• 短尾线电流
• 低 EMI
• 最高接点温度 175°C

IHW30N160R2产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.13mm  
  尺寸  16.13 x 5.21 x 21.1mm  
  封装类型  TO-247  
  高度  21.1mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.21mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  312 W  
  最大集电极-发射极电压  1600 V  
  最大连续集电极电流  60 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -40°C  
  最高工作温度  +175 °C  
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IHW30N160R2相关搜索

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

IHW30N160R2产品技术参数资料

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