IRG4BH20K-SPBF,650-3482,Infineon IRG4BH20K-SPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=1200 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Infineon
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IRG4BH20K-SPBF
Infineon IRG4BH20K-SPBF N沟道 IGBT, 11 A, Vce=1200 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号:
IRG4BH20K-SPBF
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
650-3482
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRG4BH20K-SPBF产品详细信息
单 IGBT 高达 20A,Infineon
优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能
IRG4BH20K-SPBF产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
10.67mm
尺寸
10.67 x 9.65 x 4.83mm
封装类型
D2PAK
高度
4.83mm
晶体管配置
单
宽度
9.65mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大集电极-发射极电压
1200 V
最大连续集电极电流
11 A
最大栅极发射极电压
±20V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
IRG4BH20K-SPBF配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fischer Elektronik 银色 散热器 FK 244 08 D2 PAK, 29.3K/W, 焊接安装, 26 x 8 x 10mm
制造商零件编号:
FK 244 08 D2 PAK
品牌:
Fischer Elektronik
库存编号:
698-8105
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Murata Power Solutions MGJ2 系列 2W 隔离式直流-直流转换器 MGJ2D051509SC, 4.5 → 5.5 V 直流输入, -8.7 V dc, 15 V dc输出
制造商零件编号:
MGJ2D051509SC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
816-3503
查看其他仓库
Murata Power Solutions MGJ3 系列 3W 隔离式直流-直流转换器 MGJ3T12150505MC-R7, 9 → 18 V 直流输入, 5 V, 15 V输出, 120mA输出
制造商零件编号:
MGJ3T12150505MC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
852-6799
查看其他仓库
EPCOS 20A 表面贴装 电流互感器 CT B82801B0205A100, 1:100匝数比
制造商零件编号:
B82801B0205A100
品牌:
EPCOS
库存编号:
871-1613
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IRG4BH20K-SPBF相关搜索
安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装
长度 10.67mm
Infineon 长度 10.67mm
IGBT 晶体管 长度 10.67mm
Infineon IGBT 晶体管 长度 10.67mm
尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
Infineon 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
IGBT 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
Infineon IGBT 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm
封装类型 D2PAK
Infineon 封装类型 D2PAK
IGBT 晶体管 封装类型 D2PAK
Infineon IGBT 晶体管 封装类型 D2PAK
高度 4.83mm
Infineon 高度 4.83mm
IGBT 晶体管 高度 4.83mm
Infineon IGBT 晶体管 高度 4.83mm
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
IGBT 晶体管 晶体管配置 单
Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单
宽度 9.65mm
Infineon 宽度 9.65mm
IGBT 晶体管 宽度 9.65mm
Infineon IGBT 晶体管 宽度 9.65mm
通道类型 N
Infineon 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
Infineon 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3
最大集电极-发射极电压 1200 V
Infineon 最大集电极-发射极电压 1200 V
IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 1200 V
Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 1200 V
最大连续集电极电流 11 A
Infineon 最大连续集电极电流 11 A
IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 11 A
Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 11 A
最大栅极发射极电压 ±20V
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IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
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最高工作温度 +150 °C
Infineon 最高工作温度 +150 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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IRG4BH20K-SPBF产品技术参数资料
IRG4BH20K-S IGBT,11A 1200V D2PAK Data sheet
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