GT40Q321(Q),601-2835,Toshiba GT40Q321(Q) N沟道 IGBT, 42 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-3PN封装 ,Toshiba
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Toshiba GT40Q321(Q) N沟道 IGBT, 42 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-3PN封装

制造商零件编号：
GT40Q321(Q)
制造商：
Toshiba Toshiba
库存编号：
601-2835
Toshiba GT40Q321(Q)
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

GT40Q321(Q)产品详细信息

IGBT 分立，Toshiba

GT40Q321(Q)产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.9mm  
  尺寸  15.9 x 4.8 x 19mm  
  封装类型  TO-3PN  
  高度  19mm  
  宽度  4.8mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大集电极-发射极电压  1200 V  
  最大连续集电极电流  42 A  
  最大栅极发射极电压  ±25V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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GT40Q321(Q)产品技术参数资料

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