IRGB6B60KPBF,543-2272,Infineon IRGB6B60KPBF N沟道 IGBT, 13 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装 ,Infineon
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
IGBT 晶体管
>
IRGB6B60KPBF
Infineon IRGB6B60KPBF N沟道 IGBT, 13 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
制造商零件编号:
IRGB6B60KPBF
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
543-2272
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRGB6B60KPBF产品详细信息
单 IGBT 高达 20A,Infineon
优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能
IRGB6B60KPBF产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.54mm
尺寸
10.54 x 4.69 x 8.77mm
封装类型
TO-220AB
高度
8.77mm
晶体管配置
单
宽度
4.69mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大集电极-发射极电压
600 V
最大连续集电极电流
13 A
最大栅极发射极电压
±20V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
IRGB6B60KPBF配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Bergquist Hi-Flow 650P 自粘 电子散热垫 HF650P-0.001-01-00-54, 1.5W/m·K, 0.001in厚
制造商零件编号:
HF650P-0.001-01-00-54
品牌:
Bergquist
库存编号:
752-4881
搜索
Sensitec 电流传感器 CMS2025-SP3, 25 A输入 磁阻
制造商零件编号:
CMS2025-SP3
品牌:
Sensitec
库存编号:
763-9797
搜索
Murata Power Solutions MGJ2 系列 2W 隔离式直流-直流转换器 MGJ2D051509SC, 4.5 → 5.5 V 直流输入, -8.7 V dc, 15 V dc输出
制造商零件编号:
MGJ2D051509SC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
816-3503
查看其他仓库
Murata Power Solutions MGJ3 系列 3W 隔离式直流-直流转换器 MGJ3T12150505MC-R7, 9 → 18 V 直流输入, 5 V, 15 V输出, 120mA输出
制造商零件编号:
MGJ3T12150505MC
品牌:
Murata Power Solutions
库存编号:
852-6799
查看其他仓库
IRGB6B60KPBF相关搜索
安装类型 通孔
Infineon 安装类型 通孔
IGBT 晶体管 安装类型 通孔
Infineon IGBT 晶体管 安装类型 通孔
长度 10.54mm
Infineon 长度 10.54mm
IGBT 晶体管 长度 10.54mm
Infineon IGBT 晶体管 长度 10.54mm
尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm
Infineon 尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm
IGBT 晶体管 尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm
Infineon IGBT 晶体管 尺寸 10.54 x 4.69 x 8.77mm
封装类型 TO-220AB
Infineon 封装类型 TO-220AB
IGBT 晶体管 封装类型 TO-220AB
Infineon IGBT 晶体管 封装类型 TO-220AB
高度 8.77mm
Infineon 高度 8.77mm
IGBT 晶体管 高度 8.77mm
Infineon IGBT 晶体管 高度 8.77mm
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
IGBT 晶体管 晶体管配置 单
Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.69mm
Infineon 宽度 4.69mm
IGBT 晶体管 宽度 4.69mm
Infineon IGBT 晶体管 宽度 4.69mm
通道类型 N
Infineon 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
Infineon 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3
最大集电极-发射极电压 600 V
Infineon 最大集电极-发射极电压 600 V
IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 13 A
Infineon 最大连续集电极电流 13 A
IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 13 A
Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 13 A
最大栅极发射极电压 ±20V
Infineon 最大栅极发射极电压 ±20V
IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
最低工作温度 -55 °C
Infineon 最低工作温度 -55 °C
IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C
Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Infineon 最高工作温度 +150 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C
Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
IRGB6B60KPBF产品技术参数资料
IRGB6B60KPBF Data Sheet
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号