IRG4PC50WPBF,541-1499,Infineon IRG4PC50WPBF N沟道 IGBT, 55 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装 ,Infineon
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IRG4PC50WPBF
Infineon IRG4PC50WPBF N沟道 IGBT, 55 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
制造商零件编号:
IRG4PC50WPBF
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
541-1499
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
IRG4PC50WPBF产品详细信息
单 IGBT 超过 21A,Infineon
优化的 IGBT 设计用于中频应用,具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能,带 IGBT
IRG4PC50WPBF产品技术参数
安装类型
通孔
长度
15.9mm
尺寸
15.9 x 5.3 x 20.3mm
封装类型
TO-247AC
高度
20.3mm
晶体管配置
单
宽度
5.3mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大集电极-发射极电压
600 V
最大连续集电极电流
55 A
最大栅极发射极电压
±20V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
IRG4PC50WPBF相关搜索
安装类型 通孔
Infineon 安装类型 通孔
IGBT 晶体管 安装类型 通孔
Infineon IGBT 晶体管 安装类型 通孔
长度 15.9mm
Infineon 长度 15.9mm
IGBT 晶体管 长度 15.9mm
Infineon IGBT 晶体管 长度 15.9mm
尺寸 15.9 x 5.3 x 20.3mm
Infineon 尺寸 15.9 x 5.3 x 20.3mm
IGBT 晶体管 尺寸 15.9 x 5.3 x 20.3mm
Infineon IGBT 晶体管 尺寸 15.9 x 5.3 x 20.3mm
封装类型 TO-247AC
Infineon 封装类型 TO-247AC
IGBT 晶体管 封装类型 TO-247AC
Infineon IGBT 晶体管 封装类型 TO-247AC
高度 20.3mm
Infineon 高度 20.3mm
IGBT 晶体管 高度 20.3mm
Infineon IGBT 晶体管 高度 20.3mm
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
IGBT 晶体管 晶体管配置 单
Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单
宽度 5.3mm
Infineon 宽度 5.3mm
IGBT 晶体管 宽度 5.3mm
Infineon IGBT 晶体管 宽度 5.3mm
通道类型 N
Infineon 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
Infineon 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3
最大集电极-发射极电压 600 V
Infineon 最大集电极-发射极电压 600 V
IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 55 A
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最大栅极发射极电压 ±20V
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最低工作温度 -55 °C
Infineon 最低工作温度 -55 °C
IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Infineon 最高工作温度 +150 °C
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