SGW30N60,462-3102,Infineon SGW30N60 N沟道 IGBT, 41 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装 ,Infineon
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Infineon SGW30N60 N沟道 IGBT, 41 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号:
SGW30N60
库存编号:
462-3102
Infineon SGW30N60
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SGW30N60FKSA1 Infineon Technologies AG IGBT NPT 600V 41A TO247-30
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SGW30N60FKSA1 Rochester Electronics LLC IGBT NPT 600V 41A TO247-30
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SGW30N60HSFKSA1 Infineon Technologies AG IGBT NPT 600V 41A TO247-30
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SGW30N60FKSA1Infineon Technologies AGTrans IGBT Chip N-CH 600V 41A 250W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube110
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SGW30N60产品详细信息

Infineon 分离式 IGBT 晶体管

Infineon 分离式 IGBT 晶体管提供各种技术,如 NPT、Trenchstop? 和 Fieldstop。它们可用于需要硬切换或软切换的许多应用,包括工业驱动器、UPS、变频器、家用电器和感应炉灶。一些器件包括反并联二极管或单片集成二极管。

SGW30N60产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  15.9mm  
  尺寸  15.9 x 5.3 x 20.95mm  
  封装类型  TO-247  
  高度  20.95mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.3mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  41 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  Infineon IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.9mm  Infineon 长度 15.9mm  IGBT 晶体管 长度 15.9mm  Infineon IGBT 晶体管 长度 15.9mm   尺寸 15.9 x 5.3 x 20.95mm  Infineon 尺寸 15.9 x 5.3 x 20.95mm  IGBT 晶体管 尺寸 15.9 x 5.3 x 20.95mm  Infineon IGBT 晶体管 尺寸 15.9 x 5.3 x 20.95mm   封装类型 TO-247  Infineon 封装类型 TO-247  IGBT 晶体管 封装类型 TO-247  Infineon IGBT 晶体管 封装类型 TO-247   高度 20.95mm  Infineon 高度 20.95mm  IGBT 晶体管 高度 20.95mm  Infineon IGBT 晶体管 高度 20.95mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.3mm  Infineon 宽度 5.3mm  IGBT 晶体管 宽度 5.3mm  Infineon IGBT 晶体管 宽度 5.3mm   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3   最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 600 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V   最大连续集电极电流 41 A  Infineon 最大连续集电极电流 41 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 41 A  Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 41 A   最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
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型号 制造商 描述 操作
SGW30N60FKSA1
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Infineon Technologies AG

IGBT 600V 41A 250W TO247-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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SGW30N60
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IGBT Transistors FAST IGBT NPT TECH 600V 30A

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IGBT Transistors HIGH SPEED NPT TECH 600V 30A

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247 - Rail/Tube (Alt: SGW30N60FKSA1)

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SGW30N60FKSA1
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IGBT, FAST

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Infineon - SGW30N60 - Infineon SGW30N60 N沟道 IGBT, 41 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装

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品牌:
Infineon
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SGW30N60产品技术参数资料

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