IKP15N65F5,110-7724,Infineon IKP15N65F5 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-220封装 ,Infineon
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Infineon IKP15N65F5 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
IKP15N65F5
库存编号：
110-7724
Infineon IKP15N65F5
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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IKP15N65F5产品详细信息

Infineon TrenchStop IGBT 晶体管，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop? 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
• 极低的 VCEsat
• 低断开损耗
• 短尾线电流
• 低 EMI
• 最大接点温度为 175°C

IKP15N65F5产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.36mm  
  尺寸  10.36 x 4.57 x 15.95mm  
  额定能量  0.17mJ  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.95mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.57mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  栅极电容  930pF  
  最大功率耗散  105 W  
  最大集电极-发射极电压  650 V  
  最大连续集电极电流  30 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  Infineon IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.36mm  Infineon 长度 10.36mm  IGBT 晶体管 长度 10.36mm  Infineon IGBT 晶体管 长度 10.36mm   尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm  Infineon 尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm  IGBT 晶体管 尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm  Infineon IGBT 晶体管 尺寸 10.36 x 4.57 x 15.95mm   额定能量 0.17mJ  Infineon 额定能量 0.17mJ  IGBT 晶体管 额定能量 0.17mJ  Infineon IGBT 晶体管 额定能量 0.17mJ   封装类型 TO-220  Infineon 封装类型 TO-220  IGBT 晶体管 封装类型 TO-220  Infineon IGBT 晶体管 封装类型 TO-220   高度 15.95mm  Infineon 高度 15.95mm  IGBT 晶体管 高度 15.95mm  Infineon IGBT 晶体管 高度 15.95mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.57mm  Infineon 宽度 4.57mm  IGBT 晶体管 宽度 4.57mm  Infineon IGBT 晶体管 宽度 4.57mm   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3   栅极电容 930pF  Infineon 栅极电容 930pF  IGBT 晶体管 栅极电容 930pF  Infineon IGBT 晶体管 栅极电容 930pF   最大功率耗散 105 W  Infineon 最大功率耗散 105 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 105 W  Infineon IGBT 晶体管 最大功率耗散 105 W   最大集电极-发射极电压 650 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 650 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 650 V  Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 650 V   最大连续集电极电流 30 A  Infineon 最大连续集电极电流 30 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 30 A  Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 30 A   最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -40 °C  Infineon 最低工作温度 -40 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C  Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
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IKP15N65F5XKSA1
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IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3

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IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

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IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 105000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 3-Pin TO-220 Tube - Rail/Tube (Alt: IKP15N65F5XKSA1)

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Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 3-Pin TO-220 Tube (Alt: IKP15N65F5XKSA1)

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IGBT, 650V, 15A, TO220-3

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IKP15N65F5XKSA1
INFINEON IKP15N65F5XKSA1		2363287

INFINEON

单晶体管, IGBT, 15 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-220, 3 引脚

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Infineon - IKP15N65F5 - Infineon IKP15N65F5 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号：
IKP15N65F5
品牌：
Infineon
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Infineon Technologies - IKP15N65F5XKSA1 - IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3		Infineon Technologies
IGBT 650V 30A 105W PG-TO220-3
详细描述：IGBT 650V 30A 105W Through Hole PG-TO220-3

型号：IKP15N65F5XKSA1
仓库库存编号：IKP15N65F5XKSA1-ND
别名：SP000973410 <br>

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