一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管,带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极,采用 TrenchStop? 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。
集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V 极低 VCEsat 低关闭损耗 短尾线电流 低 EMI 最高接点温度 175°C