IGW75N60H3,110-7445,Infineon IGW75N60H3 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装 ,Infineon
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Infineon IGW75N60H3 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
IGW75N60H3
库存编号：
110-7445
Infineon IGW75N60H3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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IGW75N60H3FKSA1
库存编号:IGW75N60H3FKSA1-ND		 Infineon Technologies AG IGBT TRENCH FS 600V 140A TO247-314
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30+
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IGW75N60H3
库存编号:726-IGW75N60H3		 Infineon Technologies AG IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop410
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IGW75N60H3FKSA1
库存编号:IGW75N60H3FKSA1		 Infineon Technologies AG Semiconductors230
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IGW75N60H3FKSA1
库存编号:IGW75N60H3FKSA1		 Infineon Technologies AG Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 3-Pin TO-247 Tube - Rail/Tube (Alt: IGW75N60H3FKSA1)0
240起订		240+
￥50.11
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IGW75N60H3FKSA1
库存编号:68458615		 Infineon Technologies AG Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube0
240起订		240+
￥60.56
1-2周询价 询价
IGW75N60H3FKSA1
库存编号:71241927		 Infineon Technologies AG Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 428W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube0
8起订		8+
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IGW75N60H3FKSA1
库存编号:3294646		 Infineon Technologies AG , IGBT, 600V, 140A, 175 C, 428W204
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(含税)		 货期
(工作日)		 操作
IGW75N60H3FKSA1
库存编号:IGW75N60H3		 Infineon Technologies AG Transistor: IGBT, 600V, 75A, 428W, TO247-30
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￥62.33
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IGW75N60H3产品详细信息

Infineon TrenchStop IGBT 晶体管，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop? 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
• 极低的 VCEsat
• 低断开损耗
• 短尾线电流
• 低 EMI
• 最大接点温度为 175°C

IGW75N60H3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.13mm  
  尺寸  16.13 x 5.21 x 21.1mm  
  额定能量  6.2mJ  
  封装类型  TO-247  
  高度  21.1mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.21mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  栅极电容  4620pF  
  最大功率耗散  428 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  75 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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IGW75N60H3相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  Infineon IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 16.13mm  Infineon 长度 16.13mm  IGBT 晶体管 长度 16.13mm  Infineon IGBT 晶体管 长度 16.13mm   尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm  Infineon 尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm  IGBT 晶体管 尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm  Infineon IGBT 晶体管 尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm   额定能量 6.2mJ  Infineon 额定能量 6.2mJ  IGBT 晶体管 额定能量 6.2mJ  Infineon IGBT 晶体管 额定能量 6.2mJ   封装类型 TO-247  Infineon 封装类型 TO-247  IGBT 晶体管 封装类型 TO-247  Infineon IGBT 晶体管 封装类型 TO-247   高度 21.1mm  Infineon 高度 21.1mm  IGBT 晶体管 高度 21.1mm  Infineon IGBT 晶体管 高度 21.1mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.21mm  Infineon 宽度 5.21mm  IGBT 晶体管 宽度 5.21mm  Infineon IGBT 晶体管 宽度 5.21mm   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3   栅极电容 4620pF  Infineon 栅极电容 4620pF  IGBT 晶体管 栅极电容 4620pF  Infineon IGBT 晶体管 栅极电容 4620pF   最大功率耗散 428 W  Infineon 最大功率耗散 428 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 428 W  Infineon IGBT 晶体管 最大功率耗散 428 W   最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 600 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V   最大连续集电极电流 75 A  Infineon 最大连续集电极电流 75 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 75 A  Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 75 A   最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -40 °C  Infineon 最低工作温度 -40 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C  Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
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型号 制造商 描述 操作
IGW75N60H3FKSA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

IGBT 600V 140A 428W TO247-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
IGW75N60H3
[更多]		 Infineon Technologies AG

IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IGW75N60H3FKSA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 428000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IGW75N60H3
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: IGW75N60H3)

RoHS: Compliant

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IGW75N60H3FKSA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 3-Pin TO-247 Tube - Rail/Tube (Alt: IGW75N60H3FKSA1)

RoHS: Compliant

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IGW75N60H3FKSA1
[更多]		 Infineon Technologies AG

Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: IGW75N60H3FKSA1)

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
IGW75N60H3
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Transistor: IGBT, 600V, 75A, 428W, TO247-3

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IGW75N60H3|Infineon TechnologiesIGW75N60H3
Infineon Technologies		IGBT 600V 140A 428W TO247-3
Rohs

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Infineon Technologies - IGW75N60H3 - IGBT 600V 140A 428W TO247-3		Infineon Technologies
IGBT 600V 140A 428W TO247-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 140A 428W Through Hole PG-TO247-3

型号：IGW75N60H3
仓库库存编号：IGW75N60H3-ND
别名：IGW75N60H3FKSA1 <br>

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IGW75N60H3|Infineon TechnologiesIGW75N60H3
Infineon Technologies		IGBT 600V 140A 428W TO247-3
Rohs

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Infineon - IGW75N60H3 - Infineon IGW75N60H3 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
制造商零件编号：
IGW75N60H3
品牌：
Infineon
库存编号：
110-7445
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电话:400-900-3095
QQ:800152669
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