IGW50N65H5,110-7157,Infineon IGW50N65H5 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装 ,Infineon
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Infineon IGW50N65H5 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
IGW50N65H5
库存编号：
110-7157
Infineon IGW50N65H5
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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IGW50N65H5产品详细信息

Infineon TrenchStop IGBT 晶体管，600 和 650V

一系列 Infineon IGBT 晶体管，集电极-发射器电压额定值为 600 和 650V，采用 TrenchStop? 技术。该系列包括带有集成高速、快速恢复反并联二极管的设备。

• 集电极-发射器电压范围为 600 至 650V
• 极低的 VCEsat
• 低断开损耗
• 短尾线电流
• 低 EMI
• 最大接点温度为 175°C

IGW50N65H5产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.13mm  
  尺寸  16.13 x 5.21 x 21.1mm  
  额定能量  0.7mJ  
  封装类型  TO-247  
  高度  21.1mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.21mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  栅极电容  3000pF  
  最大功率耗散  305W  
  最大集电极-发射极电压  650 V  
  最大连续集电极电流  50 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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