IGW15N120H3,110-7153,Infineon IGW15N120H3 N沟道 IGBT, 15 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装 ,Infineon
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Infineon IGW15N120H3 N沟道 IGBT, 15 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装

制造商零件编号：
IGW15N120H3
库存编号：
110-7153
Infineon IGW15N120H3
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IGW15N120H3FKSA1
库存编号:448-IGW15N120H3FKSA1-ND		 Infineon Technologies AG IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO247-3161
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IGW15N120H3
库存编号:726-IGW15N120H3		 Infineon Technologies AG IGBTs IGBT PRODUCTS184
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IGW15N120H3FKSA1
库存编号:IGW15N120H3FKSA1		 Infineon Technologies AG Semiconductors210
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IGW15N120H3FKSA1
库存编号:IGW15N120H3FKSA1		 Infineon Technologies AG Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin TO-247 Tube - Rail/Tube (Alt: IGW15N120H3FKSA1)240
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IGW15N120H3FKSA1
库存编号:87685541		 Infineon Technologies AG Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube0
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IGW15N120H3FKSA1
库存编号:71240443		 Infineon Technologies AG Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 217W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube0
15起订		15+
￥58.5
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IGW15N120H3FKSA1
库存编号:2480884		 Infineon Technologies AG , IGBT, , 1.2KV, 30A, TO-247-3103
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IGW15N120H3FKSA1
库存编号:IGW15N120H3		 Infineon Technologies AG Transistor: IGBT, 1.2kV, 30A, 217W, TO247-3, H318
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￥43.17
￥39.17
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IGW15N120H3产品详细信息

Infineon TrenchStop IGBT 晶体管，电压 1100 至 1600V

一系列 Infineon 的 IGBT 晶体管，带电压额定值为 1100 至 1600V 的集电极-发射极，采用 TrenchStop? 技术。该系列包括带集成高速、快速恢复防并联二极管的设备。

• 集电极-发射极电压范围 1100 至 1600V
• 极低 VCEsat
• 低关闭损耗
• 短尾线电流
• 低 EMI
• 最高接点温度 175°C

IGW15N120H3产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  16.13mm  
  尺寸  16.13 x 5.21 x 21.1mm  
  额定能量  2.5mJ  
  封装类型  TO-247  
  高度  21.1mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  5.21mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  栅极电容  875pF  
  最大功率耗散  217 W  
  最大集电极-发射极电压  1200 V  
  最大连续集电极电流  15 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +175 °C  
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IGW15N120H3相关搜索

安装类型 通孔  Infineon 安装类型 通孔  IGBT 晶体管 安装类型 通孔  Infineon IGBT 晶体管 安装类型 通孔   长度 16.13mm  Infineon 长度 16.13mm  IGBT 晶体管 长度 16.13mm  Infineon IGBT 晶体管 长度 16.13mm   尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm  Infineon 尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm  IGBT 晶体管 尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm  Infineon IGBT 晶体管 尺寸 16.13 x 5.21 x 21.1mm   额定能量 2.5mJ  Infineon 额定能量 2.5mJ  IGBT 晶体管 额定能量 2.5mJ  Infineon IGBT 晶体管 额定能量 2.5mJ   封装类型 TO-247  Infineon 封装类型 TO-247  IGBT 晶体管 封装类型 TO-247  Infineon IGBT 晶体管 封装类型 TO-247   高度 21.1mm  Infineon 高度 21.1mm  IGBT 晶体管 高度 21.1mm  Infineon IGBT 晶体管 高度 21.1mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.21mm  Infineon 宽度 5.21mm  IGBT 晶体管 宽度 5.21mm  Infineon IGBT 晶体管 宽度 5.21mm   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3   栅极电容 875pF  Infineon 栅极电容 875pF  IGBT 晶体管 栅极电容 875pF  Infineon IGBT 晶体管 栅极电容 875pF   最大功率耗散 217 W  Infineon 最大功率耗散 217 W  IGBT 晶体管 最大功率耗散 217 W  Infineon IGBT 晶体管 最大功率耗散 217 W   最大集电极-发射极电压 1200 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 1200 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 1200 V  Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 1200 V   最大连续集电极电流 15 A  Infineon 最大连续集电极电流 15 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 15 A  Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 15 A   最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -40 °C  Infineon 最低工作温度 -40 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C  Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +175 °C  Infineon 最高工作温度 +175 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 +175 °C  
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IGBT 1200V 30A 217W TO247-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IGW15N120H3
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IGBT Transistors IGBT PRODUCTS

RoHS: Compliant

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IGBT

RoHS: Compliant

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Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin TO-247 Tube - Rail/Tube (Alt: IGW15N120H3FKSA1)

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Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: IGW15N120H3FKSA1)

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Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: IGW15N120H3)

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Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin TO-247 Tube (Alt: IGW15N120H3)

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Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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IGBT, SINGLE, 1.2KV, 30A, TO-247-3

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IGW15N120H3
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Transistor: IGBT, 1200V, 30A, 217W, TO247-3, TRENCHSTOP? 3

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IGW15N120H3|INFINEONIGW15N120H3
INFINEON		晶体管 IGBT 1200V 15A TO247
Rohs

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无图IGW15N120H3XK
Infineon Technologies		原厂原装货
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Infineon Technologies		IGBT 1200V 30A 217W TO247-3
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IGW15N120H3|INFINEONIGW15N120H3
INFINEON		晶体管 IGBT 1200V 15A TO247
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IGW15N120H3|Infineon TechnologiesIGW15N120H3
Infineon Technologies		IGBT 1200V 30A 217W TO247-3
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产品描述 / 参考图片 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 操作

Infineon - IGW15N120H3 - Infineon IGW15N120H3 N沟道 IGBT, 15 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
制造商零件编号：
IGW15N120H3
品牌：
Infineon
库存编号：
110-7153
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Infineon Technologies - IGW15N120H3 - IGBT 1200V 30A 217W TO247-3		Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 217W TO247-3
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 30A 217W Through Hole PG-TO247-3

型号：IGW15N120H3
仓库库存编号：IGW15N120H3-ND
别名：IGW15N120H3FKSA1 <br>SP000674430 <br>

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IGW15N120H3FKSA1
INFINEON IGW15N120H3FKSA1		2480884

INFINEON

单晶体管, IGBT, 30 A, 2.05 V, 217 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚

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电话:400-900-3095
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