IRG4BC30KD-SPBF,301-293,Infineon IRG4BC30KD-SPBF N沟道 IGBT, 28 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装 ,Infineon
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Infineon IRG4BC30KD-SPBF N沟道 IGBT, 28 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装

制造商零件编号：
IRG4BC30KD-SPBF
库存编号：
301-293
Infineon IRG4BC30KD-SPBF
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IRG4BC30KD-SPBF
库存编号:IRG4BC30KD-SPBF-ND		 Infineon Technologies AG IGBT 600V 28A 100W D2PAK0
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IRG4BC30KD-SPBF产品详细信息

Co-Pack IGBT 高达 20A，Infineon

Infineon 的隔离栅极双极晶体管 (IGBT) 为用户提供完整系列选项，以确保覆盖您的应用。 高效额定值使此系列 IGBT 可用于各种应用，且由于具有低切换损耗，可支持各种切换频率。

IGBT 带组合封装快速软恢复并联二极管，用于桥式配置

IRG4BC30KD-SPBF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 9.65 x 4.83mm  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.83mm  
  晶体管配置  单  
  宽度  9.65mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  3  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  28 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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IRG4BC30KD-SPBF相关搜索

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.67mm  Infineon 长度 10.67mm  IGBT 晶体管 长度 10.67mm  Infineon IGBT 晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  Infineon 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  IGBT 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm  Infineon IGBT 晶体管 尺寸 10.67 x 9.65 x 4.83mm   封装类型 D2PAK  Infineon 封装类型 D2PAK  IGBT 晶体管 封装类型 D2PAK  Infineon IGBT 晶体管 封装类型 D2PAK   高度 4.83mm  Infineon 高度 4.83mm  IGBT 晶体管 高度 4.83mm  Infineon IGBT 晶体管 高度 4.83mm   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  IGBT 晶体管 晶体管配置 单  Infineon IGBT 晶体管 晶体管配置 单   宽度 9.65mm  Infineon 宽度 9.65mm  IGBT 晶体管 宽度 9.65mm  Infineon IGBT 晶体管 宽度 9.65mm   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  IGBT 晶体管 通道类型 N  Infineon IGBT 晶体管 通道类型 N   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  IGBT 晶体管 引脚数目 3  Infineon IGBT 晶体管 引脚数目 3   最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 600 V  IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V  Infineon IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V   最大连续集电极电流 28 A  Infineon 最大连续集电极电流 28 A  IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 28 A  Infineon IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 28 A   最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -55 °C  Infineon 最低工作温度 -55 °C  IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Infineon IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C  
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IGBT 600V 28A 100W D2PAK

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT

RoHS: Compliant

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK (Alt: IRG4BC30KD-SPBF)

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: IRG4BC30KD-SPBF)

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Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

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IRG4BC30KD-SPBF Series 600 V 16 A N-Channel Ultra Fast IGBT - D2PAK-3

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600V ULTRAFAST 8-25 KHZ COPACK IGBT IN A D2-PAK PACKAGE

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Infineon - IRG4BC30KD-SPBF - Infineon IRG4BC30KD-SPBF N沟道 IGBT, 28 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号：
IRG4BC30KD-SPBF
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Infineon
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IRG4BC30KD-SPBF|International RectifierIRG4BC30KD-SPBF
International Rectifier		IGBT W/DIODE 600V 28A D2PAK
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IR - IRG4BC30KD-SPBF - IGBT D2-PAK 600 V 28 A, IRG4BC30KD-SPBF, IR		IR
IGBT D2-PAK 600 V 28 A, IRG4BC30KD-SPBF, IR

型号：IRG4BC30KD-SPBF
仓库库存编号：171-00-338

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IRG4BC30KD-SPBF产品技术参数资料

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