STGB7NC60HD,284-047,STMicroelectronics STGB7NC60HD N沟道 IGBT, 25 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装 ,STMicroelectronics
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STGB7NC60HD
STMicroelectronics STGB7NC60HD N沟道 IGBT, 25 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
制造商零件编号:
STGB7NC60HD
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
284-047
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
STGB7NC60HD产品详细信息
IGBT 分立,STMicroelectronics
STGB7NC60HD产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
10.4mm
尺寸
10.4 x 9.35 x 4.6mm
封装类型
D2PAK
高度
4.6mm
宽度
9.35mm
通道类型
N
引脚数目
3
最大集电极-发射极电压
600 V
最大连续集电极电流
25 A
最大栅极发射极电压
±20V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
STGB7NC60HD配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
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制造商零件编号:
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品牌:
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库存编号:
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制造商零件编号:
CDS4025ABC-KA
品牌:
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库存编号:
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安装类型 表面贴装
STMicroelectronics 安装类型 表面贴装
IGBT 晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 10.4mm
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IGBT 晶体管 长度 10.4mm
STMicroelectronics IGBT 晶体管 长度 10.4mm
尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm
STMicroelectronics 尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm
IGBT 晶体管 尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm
STMicroelectronics IGBT 晶体管 尺寸 10.4 x 9.35 x 4.6mm
封装类型 D2PAK
STMicroelectronics 封装类型 D2PAK
IGBT 晶体管 封装类型 D2PAK
STMicroelectronics IGBT 晶体管 封装类型 D2PAK
高度 4.6mm
STMicroelectronics 高度 4.6mm
IGBT 晶体管 高度 4.6mm
STMicroelectronics IGBT 晶体管 高度 4.6mm
宽度 9.35mm
STMicroelectronics 宽度 9.35mm
IGBT 晶体管 宽度 9.35mm
STMicroelectronics IGBT 晶体管 宽度 9.35mm
通道类型 N
STMicroelectronics 通道类型 N
IGBT 晶体管 通道类型 N
STMicroelectronics IGBT 晶体管 通道类型 N
引脚数目 3
STMicroelectronics 引脚数目 3
IGBT 晶体管 引脚数目 3
STMicroelectronics IGBT 晶体管 引脚数目 3
最大集电极-发射极电压 600 V
STMicroelectronics 最大集电极-发射极电压 600 V
IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大集电极-发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 25 A
STMicroelectronics 最大连续集电极电流 25 A
IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 25 A
STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大连续集电极电流 25 A
最大栅极发射极电压 ±20V
STMicroelectronics 最大栅极发射极电压 ±20V
IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
STMicroelectronics IGBT 晶体管 最大栅极发射极电压 ±20V
最低工作温度 -55 °C
STMicroelectronics 最低工作温度 -55 °C
IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C
STMicroelectronics IGBT 晶体管 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
STMicroelectronics 最高工作温度 +150 °C
IGBT 晶体管 最高工作温度 +150 °C
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STGB7NC60HD产品技术参数资料
STGB7NC60HD Very fast PowerMESH IGBT Data Sheet
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