FII30-06D,194-849,IXYS FII30-06D 双 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 5引脚 ISOPLUS-I4-PAC封装 ,IXYS
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IXYS FII30-06D 双 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 5引脚 ISOPLUS-I4-PAC封装

制造商零件编号：
FII30-06D
制造商：
IXYS IXYS
库存编号：
194-849
IXYS FII30-06D
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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FII30-06D
库存编号:FII30-06D-ND		 IXYS Corporation IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK50
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FII30-06D产品详细信息

IGBT 模块，IXYS

FII30-06D产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  19.91mm  
  尺寸  19.91 x 5.03 x 20.88mm  
  封装类型  ISOPLUS-I4-PAC  
  高度  20.88mm  
  晶体管配置  单  
  晶体管数  2  
  宽度  5.03mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  5  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  30 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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型号 制造商 描述 操作
FII30-06D
[更多]		 IXYS Corporation

IGBT PHASE LEG ISOPLUS I4-PAC-5

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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FII30-06D
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IGBT Transistors 30 Amps 600V

RoHS: Compliant

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IGBT, DUAL N-CH, 600V, 30A, I4-PAC

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FII30-06D
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FII30 Series 600 Vce 30 A 50 ns t(on) IGBT Phaseleg - ISOPLUS i4-PAC

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IXYS		IGBT PHASE LEG ISOPLUS I4-PAC-5
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无图FII30-06D
IXYS		FII30 系列 600 Vce 30 A 50 ns t(on) IGBT 相臂 - ISOPLUS i4-PAC
Rohs

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无图FII30-06D
IXYS		FII30 系列 600 Vce 30 A 50 ns t(on) IGBT 相臂 - ISOPLUS i4-PAC
Rohs

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IXYS - FII30-06D - IGBT PHASE LEG ISOPLUS I4-PAC-5		IXYS
IGBT PHASE LEG ISOPLUS I4-PAC-5
详细描述：IGBT Array NPT Half Bridge 600V 30A 100W Through Hole ISOPLUS i4-PAC?

型号：FII30-06D
仓库库存编号：FII30-06D-ND

无铅		搜索
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
FII30-06D
IXYS SEMICONDUCTOR FII30-06D		2674739

IXYS SEMICONDUCTOR

晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 30 A, 1.9 V, 100 W, 600 V, i4-PAC

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IXYS - FII30-06D - IXYS FII30-06D 双 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 5引脚 ISOPLUS-I4-PAC封装
制造商零件编号：
FII30-06D
品牌：
IXYS
库存编号：
194-849
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QQ:800152669

FII30-06D产品技术参数资料

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