MPMB50B120RH,784-6298,MagnaChip MPMB50B120RH N通道 IGBT 模块, 串行, 50 A, Vce=1200 V, 7引脚 7DM-1封装 ,MagnaChip
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MPMB50B120RH
MagnaChip MPMB50B120RH N通道 IGBT 模块, 串行, 50 A, Vce=1200 V, 7引脚 7DM-1封装
制造商零件编号:
MPMB50B120RH
制造商:
MagnaChip
MagnaChip
库存编号:
784-6298
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
MPMB50B120RH产品详细信息
IGBT 模块,MagnaChip
MPMB50B120RH产品技术参数
安装类型
面板安装
长度
93mm
尺寸
93 x 35 x 31mm
封装类型
7DM-1
高度
31mm
晶体管配置
串行
开关速度
40kHz
宽度
35mm
配置
串行
通道类型
N
引脚数目
7
最大功率耗散
416 W
最大集电极-发射极电压
1200 V
最大连续集电极电流
50 A
最大栅极发射极电压
±20V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
MPMB50B120RH配套附件
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
EPCOS B32656S 系列 220nF 聚丙烯电容器 (PP) B32656S2224J561, ±5%, 2 kV 直流、800 V 交流, 安装片
制造商零件编号:
B32656S2224J561
品牌:
EPCOS
库存编号:
334-631
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安装类型 面板安装
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长度 93mm
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MagnaChip IGBT 晶体管模块 长度 93mm
尺寸 93 x 35 x 31mm
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IGBT 晶体管模块 尺寸 93 x 35 x 31mm
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封装类型 7DM-1
MagnaChip 封装类型 7DM-1
IGBT 晶体管模块 封装类型 7DM-1
MagnaChip IGBT 晶体管模块 封装类型 7DM-1
高度 31mm
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IGBT 晶体管模块 高度 31mm
MagnaChip IGBT 晶体管模块 高度 31mm
晶体管配置 串行
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IGBT 晶体管模块 晶体管配置 串行
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开关速度 40kHz
MagnaChip 开关速度 40kHz
IGBT 晶体管模块 开关速度 40kHz
MagnaChip IGBT 晶体管模块 开关速度 40kHz
宽度 35mm
MagnaChip 宽度 35mm
IGBT 晶体管模块 宽度 35mm
MagnaChip IGBT 晶体管模块 宽度 35mm
配置 串行
MagnaChip 配置 串行
IGBT 晶体管模块 配置 串行
MagnaChip IGBT 晶体管模块 配置 串行
通道类型 N
MagnaChip 通道类型 N
IGBT 晶体管模块 通道类型 N
MagnaChip IGBT 晶体管模块 通道类型 N
引脚数目 7
MagnaChip 引脚数目 7
IGBT 晶体管模块 引脚数目 7
MagnaChip IGBT 晶体管模块 引脚数目 7
最大功率耗散 416 W
MagnaChip 最大功率耗散 416 W
IGBT 晶体管模块 最大功率耗散 416 W
MagnaChip IGBT 晶体管模块 最大功率耗散 416 W
最大集电极-发射极电压 1200 V
MagnaChip 最大集电极-发射极电压 1200 V
IGBT 晶体管模块 最大集电极-发射极电压 1200 V
MagnaChip IGBT 晶体管模块 最大集电极-发射极电压 1200 V
最大连续集电极电流 50 A
MagnaChip 最大连续集电极电流 50 A
IGBT 晶体管模块 最大连续集电极电流 50 A
MagnaChip IGBT 晶体管模块 最大连续集电极电流 50 A
最大栅极发射极电压 ±20V
MagnaChip 最大栅极发射极电压 ±20V
IGBT 晶体管模块 最大栅极发射极电压 ±20V
MagnaChip IGBT 晶体管模块 最大栅极发射极电压 ±20V
最低工作温度 -55 °C
MagnaChip 最低工作温度 -55 °C
IGBT 晶体管模块 最低工作温度 -55 °C
MagnaChip IGBT 晶体管模块 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
MagnaChip 最高工作温度 +150 °C
IGBT 晶体管模块 最高工作温度 +150 °C
MagnaChip IGBT 晶体管模块 最高工作温度 +150 °C
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MPMB50B120RH产品技术参数资料
MPMB50B120RH, NPT & Rugged Type 1200V IGBT Module
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