DM2G150SH6NE,742-3286,DAWIN Electronics DM2G150SH6NE N通道 IGBT 模块, 串行, 175 A, Vce=600 V, 7引脚 7DM-2封装 ,DAWIN Electronics
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DAWIN Electronics DM2G150SH6NE N通道 IGBT 模块, 串行, 175 A, Vce=600 V, 7引脚 7DM-2封装

制造商零件编号:
DM2G150SH6NE
库存编号:
742-3286
DAWIN Electronics DM2G150SH6NE
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

DM2G150SH6NE产品详细信息

IGBT Modules, DAWIN Electronics

DAWIN's Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Modules offer superior electrical performance in a wide range of industry standards. IGBT power modules provide low conduction and switching losses as well as short circuit ruggedness.

DM2G150SH6NE产品技术参数

  安装类型  螺丝安装  
  长度  93mm  
  尺寸  93 x 35 x 30mm  
  封装类型  7DM-2  
  高度  30mm  
  宽度  35mm  
  配置  串行  
  通道类型  N  
  引脚数目  7  
  最大功率耗散  568 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  175 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
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DM2G150SH6NE产品技术参数资料

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