FPDB60PH60B,739-5009,Fairchild Semiconductor FPDB60PH60B N通道 IGBT 模块, 60 A, Vce=600 V, 27引脚 SPM27 HC封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Fairchild Semiconductor FPDB60PH60B N通道 IGBT 模块, 60 A, Vce=600 V, 27引脚 SPM27 HC封装

制造商零件编号：
FPDB60PH60B
库存编号：
739-5009
Fairchild Semiconductor FPDB60PH60B
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FPDB60PH60B产品详细信息

PFC SPM?（智能电源模块），Fairchild Semiconductor

PFC（功率因数校正）的高级智能电源模块 (SPM?)

FPDB60PH60B产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  44mm  
  尺寸  44 x 26.8 x 5.5mm  
  封装类型  SPM27 HC  
  高度  5.5mm  
  开关速度  20kHz  
  宽度  26.8mm  
  通道类型  N  
  引脚数目  27  
  最大功率耗散  178 W  
  最大集电极-发射极电压  600 V  
  最大连续集电极电流  60 A  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

FPDB60PH60B相关搜索

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  IGBT 晶体管模块 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 安装类型 通孔   长度 44mm  Fairchild Semiconductor 长度 44mm  IGBT 晶体管模块 长度 44mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 长度 44mm   尺寸 44 x 26.8 x 5.5mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 44 x 26.8 x 5.5mm  IGBT 晶体管模块 尺寸 44 x 26.8 x 5.5mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 尺寸 44 x 26.8 x 5.5mm   封装类型 SPM27 HC  Fairchild Semiconductor 封装类型 SPM27 HC  IGBT 晶体管模块 封装类型 SPM27 HC  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 封装类型 SPM27 HC   高度 5.5mm  Fairchild Semiconductor 高度 5.5mm  IGBT 晶体管模块 高度 5.5mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 高度 5.5mm   开关速度 20kHz  Fairchild Semiconductor 开关速度 20kHz  IGBT 晶体管模块 开关速度 20kHz  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 开关速度 20kHz   宽度 26.8mm  Fairchild Semiconductor 宽度 26.8mm  IGBT 晶体管模块 宽度 26.8mm  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 宽度 26.8mm   通道类型 N  Fairchild Semiconductor 通道类型 N  IGBT 晶体管模块 通道类型 N  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 通道类型 N   引脚数目 27  Fairchild Semiconductor 引脚数目 27  IGBT 晶体管模块 引脚数目 27  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 引脚数目 27   最大功率耗散 178 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 178 W  IGBT 晶体管模块 最大功率耗散 178 W  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 最大功率耗散 178 W   最大集电极-发射极电压 600 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 600 V  IGBT 晶体管模块 最大集电极-发射极电压 600 V  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 最大集电极-发射极电压 600 V   最大连续集电极电流 60 A  Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流 60 A  IGBT 晶体管模块 最大连续集电极电流 60 A  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 最大连续集电极电流 60 A   最低工作温度 -40 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -40 °C  IGBT 晶体管模块 最低工作温度 -40 °C  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  IGBT 晶体管模块 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FPDB60PH60B产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号