FPDB50PH60,739-5005,Fairchild Semiconductor FPDB50PH60 N通道 IGBT 模块, 30 A, Vce=600 V, 27引脚 SPM27 HA封装 ,Fairchild Semiconductor
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
IGBT 晶体管模块
>
FPDB50PH60
Fairchild Semiconductor FPDB50PH60 N通道 IGBT 模块, 30 A, Vce=600 V, 27引脚 SPM27 HA封装
制造商零件编号:
FPDB50PH60
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-5005
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FPDB50PH60产品详细信息
PFC SPM?(智能电源模块),Fairchild Semiconductor
PFC(功率因数校正)的高级智能电源模块 (SPM?)
FPDB50PH60产品技术参数
安装类型
通孔
长度
44mm
尺寸
44 x 26.8 x 5.5mm
封装类型
SPM27 HA
高度
5.5mm
开关速度
20kHz
宽度
26.8mm
通道类型
N
引脚数目
27
最大功率耗散
143 W
最大集电极-发射极电压
600 V
最大连续集电极电流
30 A
最低工作温度
-20 °C
最高工作温度
+125 °C
关键词
FPDB50PH60相关搜索
安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔
IGBT 晶体管模块 安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 安装类型 通孔
长度 44mm
Fairchild Semiconductor 长度 44mm
IGBT 晶体管模块 长度 44mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 长度 44mm
尺寸 44 x 26.8 x 5.5mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 44 x 26.8 x 5.5mm
IGBT 晶体管模块 尺寸 44 x 26.8 x 5.5mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 尺寸 44 x 26.8 x 5.5mm
封装类型 SPM27 HA
Fairchild Semiconductor 封装类型 SPM27 HA
IGBT 晶体管模块 封装类型 SPM27 HA
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 封装类型 SPM27 HA
高度 5.5mm
Fairchild Semiconductor 高度 5.5mm
IGBT 晶体管模块 高度 5.5mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 高度 5.5mm
开关速度 20kHz
Fairchild Semiconductor 开关速度 20kHz
IGBT 晶体管模块 开关速度 20kHz
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 开关速度 20kHz
宽度 26.8mm
Fairchild Semiconductor 宽度 26.8mm
IGBT 晶体管模块 宽度 26.8mm
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 宽度 26.8mm
通道类型 N
Fairchild Semiconductor 通道类型 N
IGBT 晶体管模块 通道类型 N
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 通道类型 N
引脚数目 27
Fairchild Semiconductor 引脚数目 27
IGBT 晶体管模块 引脚数目 27
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 引脚数目 27
最大功率耗散 143 W
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 143 W
IGBT 晶体管模块 最大功率耗散 143 W
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 最大功率耗散 143 W
最大集电极-发射极电压 600 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 600 V
IGBT 晶体管模块 最大集电极-发射极电压 600 V
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 最大集电极-发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 30 A
Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流 30 A
IGBT 晶体管模块 最大连续集电极电流 30 A
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 最大连续集电极电流 30 A
最低工作温度 -20 °C
Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -20 °C
IGBT 晶体管模块 最低工作温度 -20 °C
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 最低工作温度 -20 °C
最高工作温度 +125 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +125 °C
IGBT 晶体管模块 最高工作温度 +125 °C
Fairchild Semiconductor IGBT 晶体管模块 最高工作温度 +125 °C
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
FPDB50PH60产品技术参数资料
Smart Power Module, Front End Rectifier
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号