F4-150R12KS4,111-6102,Infineon F4-150R12KS4 N通道 IGBT 模块, 桥接, 180 A, Vce=1200 V AG-ECONO3-4封装 ,Infineon
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Infineon F4-150R12KS4 N通道 IGBT 模块, 桥接, 180 A, Vce=1200 V AG-ECONO3-4封装

制造商零件编号:
F4-150R12KS4
库存编号:
111-6102
Infineon F4-150R12KS4
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

F4-150R12KS4产品详细信息

IGBT 模块,Infineon

Infineon 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。
IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。

封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

F4-150R12KS4产品技术参数

  安装类型  面板安装  
  长度  122mm  
  尺寸  122 x 62 x 17mm  
  封装类型  AG-ECONO3-4  
  高度  17mm  
  晶体管配置  全桥  
  宽度  62mm  
  配置  桥接  
  通道类型  N  
  最大功率耗散  960 W  
  最大集电极-发射极电压  1200 V  
  最大连续集电极电流  180 A  
  最大栅极发射极电压  ±20V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +125 °C  
关键词         

F4-150R12KS4相关搜索

安装类型 面板安装  Infineon 安装类型 面板安装  IGBT 晶体管模块 安装类型 面板安装  Infineon IGBT 晶体管模块 安装类型 面板安装   长度 122mm  Infineon 长度 122mm  IGBT 晶体管模块 长度 122mm  Infineon IGBT 晶体管模块 长度 122mm   尺寸 122 x 62 x 17mm  Infineon 尺寸 122 x 62 x 17mm  IGBT 晶体管模块 尺寸 122 x 62 x 17mm  Infineon IGBT 晶体管模块 尺寸 122 x 62 x 17mm   封装类型 AG-ECONO3-4  Infineon 封装类型 AG-ECONO3-4  IGBT 晶体管模块 封装类型 AG-ECONO3-4  Infineon IGBT 晶体管模块 封装类型 AG-ECONO3-4   高度 17mm  Infineon 高度 17mm  IGBT 晶体管模块 高度 17mm  Infineon IGBT 晶体管模块 高度 17mm   晶体管配置 全桥  Infineon 晶体管配置 全桥  IGBT 晶体管模块 晶体管配置 全桥  Infineon IGBT 晶体管模块 晶体管配置 全桥   宽度 62mm  Infineon 宽度 62mm  IGBT 晶体管模块 宽度 62mm  Infineon IGBT 晶体管模块 宽度 62mm   配置 桥接  Infineon 配置 桥接  IGBT 晶体管模块 配置 桥接  Infineon IGBT 晶体管模块 配置 桥接   通道类型 N  Infineon 通道类型 N  IGBT 晶体管模块 通道类型 N  Infineon IGBT 晶体管模块 通道类型 N   最大功率耗散 960 W  Infineon 最大功率耗散 960 W  IGBT 晶体管模块 最大功率耗散 960 W  Infineon IGBT 晶体管模块 最大功率耗散 960 W   最大集电极-发射极电压 1200 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 1200 V  IGBT 晶体管模块 最大集电极-发射极电压 1200 V  Infineon IGBT 晶体管模块 最大集电极-发射极电压 1200 V   最大连续集电极电流 180 A  Infineon 最大连续集电极电流 180 A  IGBT 晶体管模块 最大连续集电极电流 180 A  Infineon IGBT 晶体管模块 最大连续集电极电流 180 A   最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon 最大栅极发射极电压 ±20V  IGBT 晶体管模块 最大栅极发射极电压 ±20V  Infineon IGBT 晶体管模块 最大栅极发射极电压 ±20V   最低工作温度 -40 °C  Infineon 最低工作温度 -40 °C  IGBT 晶体管模块 最低工作温度 -40 °C  Infineon IGBT 晶体管模块 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +125 °C  Infineon 最高工作温度 +125 °C  IGBT 晶体管模块 最高工作温度 +125 °C  Infineon IGBT 晶体管模块 最高工作温度 +125 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

F4-150R12KS4产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号