VMMK-1218-BLKG,716-0610,VMMK-1218-BLKG RF 放大器, 100 mA 5 V, 3针 表面安装封装 ,Broadcom
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

VMMK-1218-BLKG RF 放大器, 100 mA 5 V, 3针 表面安装封装

制造商零件编号:
VMMK-1218-BLKG
库存编号:
716-0610
Broadcom VMMK-1218-BLKG
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

VMMK-1218-BLKG产品详细信息

N 通道 HEMT,Avago Technologies

高电子迁移率晶体管(HEMT,也称为异质结构或异质结 FET)是结型 FET,利用两种材料,具有不同带隙(即异质结),用作 MOSFET 中替换掺杂区的通道。 HEMT 晶体管具有良好的高频率特性且通常用于小信号、低噪声 RF 应用。
HEMT、HFET、HJ-FET 和 MODFET 是用于描述此类型晶体管的所有术语。
pHEMT 或假同晶 HEMT 是基本 HEMT 晶体管类型的变型,具有 E-pHEMT 设备,正成为增强模式类型。

VMMK-1218-BLKG产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1mm  
  尺寸  1 x 0.5 x 0.25mm  
  封装类型  SMT  
  高度  0.25mm  
  宽度  0.5mm  
  配置  单  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  300 W  
  最大连续漏极电流  100 mA  
  最大漏门电压  1V  
  最大漏源电压  5 V  
  最大栅源电压  -5 → 1 V  
  最高工作温度  +150 °C  
关键词         

VMMK-1218-BLKG相关搜索

安装类型 表面贴装  Broadcom 安装类型 表面贴装  高电子迁移率晶体管 (HEMT) 安装类型 表面贴装  Broadcom 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 安装类型 表面贴装   长度 1mm  Broadcom 长度 1mm  高电子迁移率晶体管 (HEMT) 长度 1mm  Broadcom 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 长度 1mm   尺寸 1 x 0.5 x 0.25mm  Broadcom 尺寸 1 x 0.5 x 0.25mm  高电子迁移率晶体管 (HEMT) 尺寸 1 x 0.5 x 0.25mm  Broadcom 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 尺寸 1 x 0.5 x 0.25mm   封装类型 SMT  Broadcom 封装类型 SMT  高电子迁移率晶体管 (HEMT) 封装类型 SMT  Broadcom 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 封装类型 SMT   高度 0.25mm  Broadcom 高度 0.25mm  高电子迁移率晶体管 (HEMT) 高度 0.25mm  Broadcom 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 高度 0.25mm   宽度 0.5mm  Broadcom 宽度 0.5mm  高电子迁移率晶体管 (HEMT) 宽度 0.5mm  Broadcom 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 宽度 0.5mm   配置 单  Broadcom 配置 单  高电子迁移率晶体管 (HEMT) 配置 单  Broadcom 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 配置 单   引脚数目 3  Broadcom 引脚数目 3  高电子迁移率晶体管 (HEMT) 引脚数目 3  Broadcom 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 引脚数目 3   最大功率耗散 300 W  Broadcom 最大功率耗散 300 W  高电子迁移率晶体管 (HEMT) 最大功率耗散 300 W  Broadcom 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 最大功率耗散 300 W   最大连续漏极电流 100 mA  Broadcom 最大连续漏极电流 100 mA  高电子迁移率晶体管 (HEMT) 最大连续漏极电流 100 mA  Broadcom 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 最大连续漏极电流 100 mA   最大漏门电压 1V  Broadcom 最大漏门电压 1V  高电子迁移率晶体管 (HEMT) 最大漏门电压 1V  Broadcom 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 最大漏门电压 1V   最大漏源电压 5 V  Broadcom 最大漏源电压 5 V  高电子迁移率晶体管 (HEMT) 最大漏源电压 5 V  Broadcom 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 最大漏源电压 5 V   最大栅源电压 -5 → 1 V  Broadcom 最大栅源电压 -5 → 1 V  高电子迁移率晶体管 (HEMT) 最大栅源电压 -5 → 1 V  Broadcom 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 最大栅源电压 -5 → 1 V   最高工作温度 +150 °C  Broadcom 最高工作温度 +150 °C  高电子迁移率晶体管 (HEMT) 最高工作温度 +150 °C  Broadcom 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 最高工作温度 +150 °C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

VMMK-1218-BLKG产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号