高电子迁移率晶体管(HEMT,也称为异质结构或异质结 FET)是结型 FET,利用两种材料,具有不同带隙(即异质结),用作 MOSFET 中替换掺杂区的通道。 HEMT 晶体管具有良好的高频率特性且通常用于小信号、低噪声 RF 应用。HEMT、HFET、HJ-FET 和 MODFET 是用于描述此类型晶体管的所有术语。pHEMT 或假同晶 HEMT 是基本 HEMT 晶体管类型的变型,具有 E-pHEMT 设备,正成为增强模式类型。