TC58BVG1S3HBAI4,796-5339,Toshiba TC58BVG1S3HBAI4 2Gbit NAND 闪存, 2048 x 8 位, 40μs, 2.7 → 3.6 V, -40 → +85 °C, 63针 TFBGA封装 ,Toshiba
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Toshiba TC58BVG1S3HBAI4 2Gbit NAND 闪存, 2048 x 8 位, 40μs, 2.7 → 3.6 V, -40 → +85 °C, 63针 TFBGA封装

制造商零件编号：
TC58BVG1S3HBAI4
制造商：
Toshiba Toshiba
库存编号：
796-5339
Toshiba TC58BVG1S3HBAI4
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

TC58BVG1S3HBAI4产品详细信息

BENAND? SLC NAND 闪存，内置 ECC，Toshiba

BENAND? 是 SLC （单层单元）NAND 闪存，内置 ECC（错误校正码）。

TC58BVG1S3HBAI4产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  11mm  
  尺寸  11 x 9mm  
  存储器大小  2Gbit  
  封装类型  TFBGA  
  宽度  9mm  
  每字组的位元数目  8  
  数据总线宽度  8Bit  
  引脚数目  63  
  字组数目  2048  
  组织  2048 x 8 位  
  最长随机存取时间  40μs  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  2.7 V  
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