TC58BVG1S3HTAI0,796-5336,Toshiba TC58BVG1S3HTAI0 2Gbit NAND 闪存, 2048 x 8 位, 40μs, 2.7 → 3.6 V, -40 → +85 °C, 48针 TSOP封装 ,Toshiba
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Toshiba TC58BVG1S3HTAI0 2Gbit NAND 闪存, 2048 x 8 位, 40μs, 2.7 → 3.6 V, -40 → +85 °C, 48针 TSOP封装

制造商零件编号：
TC58BVG1S3HTAI0
制造商：
Toshiba Toshiba
库存编号：
796-5336
Toshiba TC58BVG1S3HTAI0
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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TC58BVG1S3HTAI0
库存编号:TC58BVG1S3HTAI0-ND		 KIOXIA IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I75
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288+
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960+
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￥38.49
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TC58BVG1S3HTAI0 Toshiba America Electronic Components  
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TC58BVG1S3HTAI0产品详细信息

BENAND? SLC NAND 闪存，内置 ECC，Toshiba

BENAND? 是 SLC （单层单元）NAND 闪存，内置 ECC（错误校正码）。

TC58BVG1S3HTAI0产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  20mm  
  尺寸  20 x 12mm  
  存储器大小  2Gbit  
  封装类型  TSOP  
  宽度  12mm  
  每字组的位元数目  8  
  数据总线宽度  8Bit  
  引脚数目  48  
  字组数目  2048  
  组织  2048 x 8 位  
  最长随机存取时间  40μs  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  2.7 V  
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TC58BVG1S3HTAI0相关搜索

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型号 制造商 描述 操作
TC58BVG1S3HTAI0
[更多]		 Toshiba Semiconductor and Storage Products

IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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型号 制造商 描述 操作
TC58BVG1S3HTAI0
[更多]		 Toshiba America Electronic Components

2Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=2.7 to 3.6V - Trays (Alt: TC58BVG1S3HTAI0)

RoHS: Compliant

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TC58BVG1S3HTAI0
[更多]		 Toshiba America Electronic Components

2Gbit, generation: 24nm, ECC logic on the chip, VCC=2.7 to 3.6V (Alt: TC58BVG1S3HTAI0)

RoHS: Compliant

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Toshiba Semiconductor and Storage - TC58BVG1S3HTAI0 - IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP		Toshiba Semiconductor and Storage
IC EEPROM 2GBIT 25NS 48TSOP
详细描述：EEPROM - NAND 存储器 IC 2Gb （256M x 8） 并联 25ns 48-TSOP I

型号：TC58BVG1S3HTAI0
仓库库存编号：TC58BVG1S3HTAI0-ND
别名：TC58BVG1S3HTAI0B4H <br>TC58BVG1S3HTAI0YCJ <br>

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Toshiba - TC58BVG1S3HTAI0 - Toshiba TC58BVG1S3HTAI0 2Gbit NAND 闪存, 2048 x 8 位, 40μs, 2.7 → 3.6 V, -40 → +85 °C, 48针 TSOP封装
制造商零件编号：
TC58BVG1S3HTAI0
品牌：
Toshiba
库存编号：
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无图TC58BVG1S3HTAI0
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