FM21L16-60-TG,716-5729,Cypress Semiconductor FM21L16-60-TG 2Mbit 并行 FRAM 存储器, 128K x 16 位, 60ns, 2.7 → 3.6 V, -40 → +85 °C, 44针 ,Cypress Semiconductor
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Cypress Semiconductor FM21L16-60-TG 2Mbit 并行 FRAM 存储器, 128K x 16 位, 60ns, 2.7 → 3.6 V, -40 → +85 °C, 44针

制造商零件编号：
FM21L16-60-TG
库存编号：
716-5729
Cypress Semiconductor FM21L16-60-TG
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

FM21L16-60-TG产品详细信息

F-RAM，Cypress Semiconductor

铁电随机存储器 (F-RAM) 是高能效且具有最高可靠性非易失 RAM，用于串行和并行接口。 带有后缀 A 的部件设计用于汽车应用，且符合 AEC-Q100 标准。

非易失性铁电 RAM 存储器
快写入速度
高耐受性
低功耗

FM21L16-60-TG产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  18.41mm  
  尺寸  18.41 x 10.16 x 1.20mm  
  存储器大小  2Mbit  
  封装类型  TSOP  
  高度  1.2mm  
  接口类型  并行  
  宽度  10.16mm  
  每字组的位元数目  16Bit  
  数据总线宽度  8Bit  
  引脚数目  44  
  字组数目  128K  
  组织  128K x 16 位  
  最长随机存取时间  60ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40°C  
  最高工作温度  +85°C  
  最小工作电源电压  2.7 V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

FM21L16-60-TG产品技术参数资料

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