SST26VF016B-104V/SN,905-3117,Microchip SST26VF016B-104V/SN 闪存芯片, 16Mbit (2M x 8 位), SPI接口, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 SOIC封装 ,Microchip
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Microchip SST26VF016B-104V/SN 闪存芯片, 16Mbit (2M x 8 位), SPI接口, 2.7 → 3.6 V, 8引脚 SOIC封装

制造商零件编号:
SST26VF016B-104V/SN
库存编号:
905-3117
Microchip SST26VF016B-104V/SN
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SST26VF016B-104V/SN产品详细信息

SST26VF016B/032B/064B 串行四路输入/输出 (SQI) SuperFlash? 存储器

Microchip 的 SST26VF016B/032B/064B 系列设备是串行四路 I/O? (SQI?) SuperFlash? 存储 IC,具有六线、4 位输入/输出接口,允许在紧凑型低引脚技术封装中执行低功率、高性能操作。 Microchip SQI? 接口的使用使性能高达 104 MHz 并实现低延时 execute-in-place (XIP) 功能,带最小处理器缓冲存储。 这些闪存芯片还支持全命令集功能,用于传统串行外围接口 (SPI) 协议。

通过使用 SuperFlash? 技术,这些设备可提供卓越的擦除时间,与其他闪存备选设备相比,非常有利。 扇区和块擦除命令通常在18 ms 内完成,全芯片擦除操作通常需要 35 ms。

特点

串行接口体系结构 - 半字节多路复用输入/输出,带 SPI 串行命令结构
x1/x2/x4 串行外围接口 (SPI) 协议
高速时钟频率 - 最大 104 MHz
脉冲串模式
低功耗 – 有源读取 15 mA(104 MHz 时典型),待机 15 μA(典型)
快速擦除时间 - 扇区/块擦除:18 ms(典型);芯片擦除 35 ms(典型)
灵活的擦除能力
软件写入保护

SST26VF016B-104V/SN产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  4.9mm  
  尺寸  4.9 x 3.9 x 1.25mm  
  存储器大小  16Mbit  
  单元类型  分门  
  封装类型  SOIC  
  高度  1.25mm  
  接口类型  SPI  
  宽度  3.9mm  
  每字组的位元数目  8  
  引脚数目  8  
  字组数目  2M  
  组织  2M x 8 位  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +105 °C  
  最小工作电源电压  2.7 V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SST26VF016B-104V/SN产品技术参数资料

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