SST39LF040-55-4C-NHE,879-3277,Microchip SST39LF040-55-4C-NHE 闪存芯片, 4Mbit (512K x 8 位), 并行接口, 55ns, 3 → 3.6 V, 32引脚 PLCC封装 ,Microchip
Microchip 的 SST39LF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash? 存储集成电路。
3.0-3.6V 读取和写入操作
寿命 - 100,000 次循环（典型）
低功耗 - 有源电流 5 mA，待机电流 1 μA（14 MHz 时的典型值）
扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区
读取访问时间 - 55 ns
扇区擦除时间 18 ms
芯片擦除时间：70 ms（典型）
字节编程时间 - 14 μs（典型）
芯片重写时间 - SST39LF010 2 秒，SST39SF020 4 秒，SST39SF040 8 秒（典型值）
锁存地址和数据
自动写入计时 - 内部 VPP 生成
写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询
CMOS 输入/输出兼容性
JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件
