S29GL512S11TFI020,809-6951,Spansion S29GL512S11TFI020 闪存, 512Mbit (32M x 16 位), 并行接口, 110ns, 2.7 → 3.6 V, 56引脚 TSOP封装 ,Spansion
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Spansion S29GL512S11TFI020 闪存, 512Mbit (32M x 16 位), 并行接口, 110ns, 2.7 → 3.6 V, 56引脚 TSOP封装

制造商零件编号：
S29GL512S11TFI020
库存编号：
809-6951
Spansion S29GL512S11TFI020
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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S29GL512S11TFI020产品详细信息

并联 NOR 闪存存储器，Cypress Semiconductor

高性能
快速随机访问和高带宽

S29GL512S11TFI020产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  18.5mm  
  尺寸  18.5 x 14.1 x 1.05mm  
  存储器大小  512Mbit  
  单元类型  NOR  
  封装类型  TSOP  
  高度  1.05mm  
  接口类型  并行  
  块组织  对称  
  宽度  14.1mm  
  每字组的位元数目  16Bit  
  引脚数目  56  
  字组数目  32M  
  组织  32M x 16 位  
  最长随机存取时间  110ns  
  最大工作电源电压  3.6 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  2.7 V  
关键词         

S29GL512S11TFI020相关搜索

安装类型 表面贴装  Spansion 安装类型 表面贴装  闪存芯片 安装类型 表面贴装  Spansion 闪存芯片 安装类型 表面贴装   长度 18.5mm  Spansion 长度 18.5mm  闪存芯片 长度 18.5mm  Spansion 闪存芯片 长度 18.5mm   尺寸 18.5 x 14.1 x 1.05mm  Spansion 尺寸 18.5 x 14.1 x 1.05mm  闪存芯片 尺寸 18.5 x 14.1 x 1.05mm  Spansion 闪存芯片 尺寸 18.5 x 14.1 x 1.05mm   存储器大小 512Mbit  Spansion 存储器大小 512Mbit  闪存芯片 存储器大小 512Mbit  Spansion 闪存芯片 存储器大小 512Mbit   单元类型 NOR  Spansion 单元类型 NOR  闪存芯片 单元类型 NOR  Spansion 闪存芯片 单元类型 NOR   封装类型 TSOP  Spansion 封装类型 TSOP  闪存芯片 封装类型 TSOP  Spansion 闪存芯片 封装类型 TSOP   高度 1.05mm  Spansion 高度 1.05mm  闪存芯片 高度 1.05mm  Spansion 闪存芯片 高度 1.05mm   接口类型 并行  Spansion 接口类型 并行  闪存芯片 接口类型 并行  Spansion 闪存芯片 接口类型 并行   块组织 对称  Spansion 块组织 对称  闪存芯片 块组织 对称  Spansion 闪存芯片 块组织 对称   宽度 14.1mm  Spansion 宽度 14.1mm  闪存芯片 宽度 14.1mm  Spansion 闪存芯片 宽度 14.1mm   每字组的位元数目 16Bit  Spansion 每字组的位元数目 16Bit  闪存芯片 每字组的位元数目 16Bit  Spansion 闪存芯片 每字组的位元数目 16Bit   引脚数目 56  Spansion 引脚数目 56  闪存芯片 引脚数目 56  Spansion 闪存芯片 引脚数目 56   字组数目 32M  Spansion 字组数目 32M  闪存芯片 字组数目 32M  Spansion 闪存芯片 字组数目 32M   组织 32M x 16 位  Spansion 组织 32M x 16 位  闪存芯片 组织 32M x 16 位  Spansion 闪存芯片 组织 32M x 16 位   最长随机存取时间 110ns  Spansion 最长随机存取时间 110ns  闪存芯片 最长随机存取时间 110ns  Spansion 闪存芯片 最长随机存取时间 110ns   最大工作电源电压 3.6 V  Spansion 最大工作电源电压 3.6 V  闪存芯片 最大工作电源电压 3.6 V  Spansion 闪存芯片 最大工作电源电压 3.6 V   最低工作温度 -40 °C  Spansion 最低工作温度 -40 °C  闪存芯片 最低工作温度 -40 °C  Spansion 闪存芯片 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +85 °C  Spansion 最高工作温度 +85 °C  闪存芯片 最高工作温度 +85 °C  Spansion 闪存芯片 最高工作温度 +85 °C   最小工作电源电压 2.7 V  Spansion 最小工作电源电压 2.7 V  闪存芯片 最小工作电源电压 2.7 V  Spansion 闪存芯片 最小工作电源电压 2.7 V  
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型号 制造商 描述 操作
S29GL512S11TFI020
[更多]		 Cypress Semiconductor

IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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S29GL512S11TFI020
[更多]		 Cypress Semiconductor

Flash Memory 512Mb 3V 110ns Parallel NOR Flash

RoHS: Compliant

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型号 制造商 描述 操作
S29GL512S11TFI020
[更多]		 Cypress Semiconductor

FLASH MEMORY, 512MBIT, 110NS, 56-TSOP

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参考图片 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF操作

Cypress Semiconductor Corp - S29GL512S11TFI020 - IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP		Cypress Semiconductor Corp
IC FLASH 512MBIT 110NS 56TSOP
详细描述：FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb （32M x 16） 并联 110ns 56-TSOP

型号：S29GL512S11TFI020
仓库库存编号：S29GL512S11TFI020-ND

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S29GL512S11TFI020.
CYPRESS SEMICONDUCTOR S29GL512S11TFI020.		2136252

CYPRESS SEMICONDUCTOR

闪存, 512 Mbit, 32M x 16位, 并行, TSOP, 56 引脚

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Spansion - S29GL512S11TFI020 - Spansion S29GL512S11TFI020 闪存, 512Mbit (32M x 16 位), 并行接口, 110ns, 2.7 → 3.6 V, 56引脚 TSOP封装
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品牌：
Spansion
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S29GL512S11TFI020|SPANSIONS29GL512S11TFI020
SPANSION		芯片 闪存 512MB 56TSOP
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