JS28F512P33EFA,777-5203,Micron JS28F512P33EFA 闪存, 512Mbit (32M x 16 位), 并行接口, 105ns, 2.3 → 3.6 V, 56引脚 TSOP封装 ,Micron
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JS28F512P33EFA
Micron JS28F512P33EFA 闪存, 512Mbit (32M x 16 位), 并行接口, 105ns, 2.3 → 3.6 V, 56引脚 TSOP封装
制造商零件编号:
JS28F512P33EFA
制造商:
Micron
Micron
库存编号:
777-5203
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
JS28F512P33EFA产品详细信息
闪存存储器,Micron
JS28F512P33EFA产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
18.6mm
尺寸
18.6 x 14.2 x 1.025mm
存储器大小
512Mbit
单元类型
NOR
封装类型
TSOP
高度
1.03mm
接口类型
并行
块组织
非对称、对称
宽度
14.2mm
每字组的位元数目
16Bit
引脚数目
56
字组数目
32M
组织
32M x 16 位
最长随机存取时间
105ns
最大工作电源电压
3.6 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
2.3 V
关键词
JS28F512P33EFA相关搜索
安装类型 表面贴装
Micron 安装类型 表面贴装
闪存芯片 安装类型 表面贴装
Micron 闪存芯片 安装类型 表面贴装
长度 18.6mm
Micron 长度 18.6mm
闪存芯片 长度 18.6mm
Micron 闪存芯片 长度 18.6mm
尺寸 18.6 x 14.2 x 1.025mm
Micron 尺寸 18.6 x 14.2 x 1.025mm
闪存芯片 尺寸 18.6 x 14.2 x 1.025mm
Micron 闪存芯片 尺寸 18.6 x 14.2 x 1.025mm
存储器大小 512Mbit
Micron 存储器大小 512Mbit
闪存芯片 存储器大小 512Mbit
Micron 闪存芯片 存储器大小 512Mbit
单元类型 NOR
Micron 单元类型 NOR
闪存芯片 单元类型 NOR
Micron 闪存芯片 单元类型 NOR
封装类型 TSOP
Micron 封装类型 TSOP
闪存芯片 封装类型 TSOP
Micron 闪存芯片 封装类型 TSOP
高度 1.03mm
Micron 高度 1.03mm
闪存芯片 高度 1.03mm
Micron 闪存芯片 高度 1.03mm
接口类型 并行
Micron 接口类型 并行
闪存芯片 接口类型 并行
Micron 闪存芯片 接口类型 并行
块组织 非对称、对称
Micron 块组织 非对称、对称
闪存芯片 块组织 非对称、对称
Micron 闪存芯片 块组织 非对称、对称
宽度 14.2mm
Micron 宽度 14.2mm
闪存芯片 宽度 14.2mm
Micron 闪存芯片 宽度 14.2mm
每字组的位元数目 16Bit
Micron 每字组的位元数目 16Bit
闪存芯片 每字组的位元数目 16Bit
Micron 闪存芯片 每字组的位元数目 16Bit
引脚数目 56
Micron 引脚数目 56
闪存芯片 引脚数目 56
Micron 闪存芯片 引脚数目 56
字组数目 32M
Micron 字组数目 32M
闪存芯片 字组数目 32M
Micron 闪存芯片 字组数目 32M
组织 32M x 16 位
Micron 组织 32M x 16 位
闪存芯片 组织 32M x 16 位
Micron 闪存芯片 组织 32M x 16 位
最长随机存取时间 105ns
Micron 最长随机存取时间 105ns
闪存芯片 最长随机存取时间 105ns
Micron 闪存芯片 最长随机存取时间 105ns
最大工作电源电压 3.6 V
Micron 最大工作电源电压 3.6 V
闪存芯片 最大工作电源电压 3.6 V
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最低工作温度 -40 °C
Micron 最低工作温度 -40 °C
闪存芯片 最低工作温度 -40 °C
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最高工作温度 +85 °C
Micron 最高工作温度 +85 °C
闪存芯片 最高工作温度 +85 °C
Micron 闪存芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 2.3 V
Micron 最小工作电源电压 2.3 V
闪存芯片 最小工作电源电压 2.3 V
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邮箱:
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800152669
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JS28F512P33EFA产品技术参数资料
208043_P33_65nm_MLC_512M_1G_Discrete_2G_Stack_DS Data Sheet
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