PC28F640P33TF60A,777-5186,Micron PC28F640P33TF60A 闪存, 64Mbit (4M x 16 位), 并行接口, 60ns, 2.3 → 3.6 V, 64引脚 EBGA封装 ,Micron
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PC28F640P33TF60A
Micron PC28F640P33TF60A 闪存, 64Mbit (4M x 16 位), 并行接口, 60ns, 2.3 → 3.6 V, 64引脚 EBGA封装
制造商零件编号:
PC28F640P33TF60A
制造商:
Micron
Micron
库存编号:
777-5186
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
PC28F640P33TF60A产品详细信息
闪存存储器,Micron
PC28F640P33TF60A产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
10.1mm
尺寸
10.1 x 8.1 x 1.2mm
存储器大小
64Mbit
单元类型
NOR
封装类型
EBGA
高度
1.2mm
接口类型
并行
块组织
非对称
宽度
8.1mm
每字组的位元数目
16Bit
引脚数目
64
字组数目
4M
组织
4M x 16 位
最长随机存取时间
60ns
最大工作电源电压
3.6 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
2.3 V
关键词
PC28F640P33TF60A相关搜索
安装类型 表面贴装
Micron 安装类型 表面贴装
闪存芯片 安装类型 表面贴装
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长度 10.1mm
Micron 长度 10.1mm
闪存芯片 长度 10.1mm
Micron 闪存芯片 长度 10.1mm
尺寸 10.1 x 8.1 x 1.2mm
Micron 尺寸 10.1 x 8.1 x 1.2mm
闪存芯片 尺寸 10.1 x 8.1 x 1.2mm
Micron 闪存芯片 尺寸 10.1 x 8.1 x 1.2mm
存储器大小 64Mbit
Micron 存储器大小 64Mbit
闪存芯片 存储器大小 64Mbit
Micron 闪存芯片 存储器大小 64Mbit
单元类型 NOR
Micron 单元类型 NOR
闪存芯片 单元类型 NOR
Micron 闪存芯片 单元类型 NOR
封装类型 EBGA
Micron 封装类型 EBGA
闪存芯片 封装类型 EBGA
Micron 闪存芯片 封装类型 EBGA
高度 1.2mm
Micron 高度 1.2mm
闪存芯片 高度 1.2mm
Micron 闪存芯片 高度 1.2mm
接口类型 并行
Micron 接口类型 并行
闪存芯片 接口类型 并行
Micron 闪存芯片 接口类型 并行
块组织 非对称
Micron 块组织 非对称
闪存芯片 块组织 非对称
Micron 闪存芯片 块组织 非对称
宽度 8.1mm
Micron 宽度 8.1mm
闪存芯片 宽度 8.1mm
Micron 闪存芯片 宽度 8.1mm
每字组的位元数目 16Bit
Micron 每字组的位元数目 16Bit
闪存芯片 每字组的位元数目 16Bit
Micron 闪存芯片 每字组的位元数目 16Bit
引脚数目 64
Micron 引脚数目 64
闪存芯片 引脚数目 64
Micron 闪存芯片 引脚数目 64
字组数目 4M
Micron 字组数目 4M
闪存芯片 字组数目 4M
Micron 闪存芯片 字组数目 4M
组织 4M x 16 位
Micron 组织 4M x 16 位
闪存芯片 组织 4M x 16 位
Micron 闪存芯片 组织 4M x 16 位
最长随机存取时间 60ns
Micron 最长随机存取时间 60ns
闪存芯片 最长随机存取时间 60ns
Micron 闪存芯片 最长随机存取时间 60ns
最大工作电源电压 3.6 V
Micron 最大工作电源电压 3.6 V
闪存芯片 最大工作电源电压 3.6 V
Micron 闪存芯片 最大工作电源电压 3.6 V
最低工作温度 -40 °C
Micron 最低工作温度 -40 °C
闪存芯片 最低工作温度 -40 °C
Micron 闪存芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
Micron 最高工作温度 +85 °C
闪存芯片 最高工作温度 +85 °C
Micron 闪存芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 2.3 V
Micron 最小工作电源电压 2.3 V
闪存芯片 最小工作电源电压 2.3 V
Micron 闪存芯片 最小工作电源电压 2.3 V
邮箱:
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PC28F640P33TF60A产品技术参数资料
208034_P33_65nm_SBC_64M_128M_Discrete_DS Data Sheet
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