TC58NVG2S3EBAI5,752-2291,Toshiba TC58NVG2S3EBAI5 闪存, 4Gbit (512M x 8), 25ns, 2.7 → 3.6 V, 63引脚 TFBGA封装 ,Toshiba
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
存储器芯片
>
闪存芯片
>
TC58NVG2S3EBAI5
Toshiba TC58NVG2S3EBAI5 闪存, 4Gbit (512M x 8), 25ns, 2.7 → 3.6 V, 63引脚 TFBGA封装
制造商零件编号:
TC58NVG2S3EBAI5
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
752-2291
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TC58NVG2S3EBAI5产品详细信息
闪存存储器,Toshiba
TC58NVG2S3EBAI5产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
13mm
尺寸
13 x 10 x 0.74mm
存储器大小
4Gbit
单元类型
NAND
封装类型
TFBGA
高度
0.74mm
宽度
10mm
每字组的位元数目
8Bit
引脚数目
63
字组数目
512M
组织
512M x 8
最长随机存取时间
25ns
最大工作电源电压
4.6 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
-0.6 V
关键词
TC58NVG2S3EBAI5相关搜索
安装类型 表面贴装
Toshiba 安装类型 表面贴装
闪存芯片 安装类型 表面贴装
Toshiba 闪存芯片 安装类型 表面贴装
长度 13mm
Toshiba 长度 13mm
闪存芯片 长度 13mm
Toshiba 闪存芯片 长度 13mm
尺寸 13 x 10 x 0.74mm
Toshiba 尺寸 13 x 10 x 0.74mm
闪存芯片 尺寸 13 x 10 x 0.74mm
Toshiba 闪存芯片 尺寸 13 x 10 x 0.74mm
存储器大小 4Gbit
Toshiba 存储器大小 4Gbit
闪存芯片 存储器大小 4Gbit
Toshiba 闪存芯片 存储器大小 4Gbit
单元类型 NAND
Toshiba 单元类型 NAND
闪存芯片 单元类型 NAND
Toshiba 闪存芯片 单元类型 NAND
封装类型 TFBGA
Toshiba 封装类型 TFBGA
闪存芯片 封装类型 TFBGA
Toshiba 闪存芯片 封装类型 TFBGA
高度 0.74mm
Toshiba 高度 0.74mm
闪存芯片 高度 0.74mm
Toshiba 闪存芯片 高度 0.74mm
宽度 10mm
Toshiba 宽度 10mm
闪存芯片 宽度 10mm
Toshiba 闪存芯片 宽度 10mm
每字组的位元数目 8Bit
Toshiba 每字组的位元数目 8Bit
闪存芯片 每字组的位元数目 8Bit
Toshiba 闪存芯片 每字组的位元数目 8Bit
引脚数目 63
Toshiba 引脚数目 63
闪存芯片 引脚数目 63
Toshiba 闪存芯片 引脚数目 63
字组数目 512M
Toshiba 字组数目 512M
闪存芯片 字组数目 512M
Toshiba 闪存芯片 字组数目 512M
组织 512M x 8
Toshiba 组织 512M x 8
闪存芯片 组织 512M x 8
Toshiba 闪存芯片 组织 512M x 8
最长随机存取时间 25ns
Toshiba 最长随机存取时间 25ns
闪存芯片 最长随机存取时间 25ns
Toshiba 闪存芯片 最长随机存取时间 25ns
最大工作电源电压 4.6 V
Toshiba 最大工作电源电压 4.6 V
闪存芯片 最大工作电源电压 4.6 V
Toshiba 闪存芯片 最大工作电源电压 4.6 V
最低工作温度 -40 °C
Toshiba 最低工作温度 -40 °C
闪存芯片 最低工作温度 -40 °C
Toshiba 闪存芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
Toshiba 最高工作温度 +85 °C
闪存芯片 最高工作温度 +85 °C
Toshiba 闪存芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 -0.6 V
Toshiba 最小工作电源电压 -0.6 V
闪存芯片 最小工作电源电压 -0.6 V
Toshiba 闪存芯片 最小工作电源电压 -0.6 V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
TC58NVG2S3EBAI5产品技术参数资料
TC58NVG2S3EBAI5, 4GBit (512M × 8-Bit) CMOS NAND E2PROM
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号