TC58NVG0S3EBAI4,752-2282,Toshiba TC58NVG0S3EBAI4 闪存, 1 Gbyte (128M x 8), 并行接口, 25ns, 2.7 → 3.6 V, 63引脚 TFBGA封装 ,Toshiba
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TC58NVG0S3EBAI4
Toshiba TC58NVG0S3EBAI4 闪存, 1 Gbyte (128M x 8), 并行接口, 25ns, 2.7 → 3.6 V, 63引脚 TFBGA封装
制造商零件编号:
TC58NVG0S3EBAI4
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
752-2282
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TC58NVG0S3EBAI4产品详细信息
闪存存储器,Toshiba
TC58NVG0S3EBAI4产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
11mm
尺寸
11 x 9 x 0.74mm
存储器大小
1 Gbyte
单元类型
NAND
封装类型
TFBGA
高度
0.74mm
接口类型
并行
块组织
对称
宽度
9mm
每字组的位元数目
8Bit
引脚数目
63
字组数目
128M
组织
128M x 8
最长随机存取时间
25ns
最大工作电源电压
4.6 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
-0.6 V
关键词
TC58NVG0S3EBAI4相关搜索
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闪存芯片 安装类型 表面贴装
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长度 11mm
Toshiba 长度 11mm
闪存芯片 长度 11mm
Toshiba 闪存芯片 长度 11mm
尺寸 11 x 9 x 0.74mm
Toshiba 尺寸 11 x 9 x 0.74mm
闪存芯片 尺寸 11 x 9 x 0.74mm
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存储器大小 1 Gbyte
Toshiba 存储器大小 1 Gbyte
闪存芯片 存储器大小 1 Gbyte
Toshiba 闪存芯片 存储器大小 1 Gbyte
单元类型 NAND
Toshiba 单元类型 NAND
闪存芯片 单元类型 NAND
Toshiba 闪存芯片 单元类型 NAND
封装类型 TFBGA
Toshiba 封装类型 TFBGA
闪存芯片 封装类型 TFBGA
Toshiba 闪存芯片 封装类型 TFBGA
高度 0.74mm
Toshiba 高度 0.74mm
闪存芯片 高度 0.74mm
Toshiba 闪存芯片 高度 0.74mm
接口类型 并行
Toshiba 接口类型 并行
闪存芯片 接口类型 并行
Toshiba 闪存芯片 接口类型 并行
块组织 对称
Toshiba 块组织 对称
闪存芯片 块组织 对称
Toshiba 闪存芯片 块组织 对称
宽度 9mm
Toshiba 宽度 9mm
闪存芯片 宽度 9mm
Toshiba 闪存芯片 宽度 9mm
每字组的位元数目 8Bit
Toshiba 每字组的位元数目 8Bit
闪存芯片 每字组的位元数目 8Bit
Toshiba 闪存芯片 每字组的位元数目 8Bit
引脚数目 63
Toshiba 引脚数目 63
闪存芯片 引脚数目 63
Toshiba 闪存芯片 引脚数目 63
字组数目 128M
Toshiba 字组数目 128M
闪存芯片 字组数目 128M
Toshiba 闪存芯片 字组数目 128M
组织 128M x 8
Toshiba 组织 128M x 8
闪存芯片 组织 128M x 8
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最长随机存取时间 25ns
Toshiba 最长随机存取时间 25ns
闪存芯片 最长随机存取时间 25ns
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最大工作电源电压 4.6 V
Toshiba 最大工作电源电压 4.6 V
闪存芯片 最大工作电源电压 4.6 V
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最低工作温度 -40 °C
Toshiba 最低工作温度 -40 °C
闪存芯片 最低工作温度 -40 °C
Toshiba 闪存芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
Toshiba 最高工作温度 +85 °C
闪存芯片 最高工作温度 +85 °C
Toshiba 闪存芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 -0.6 V
Toshiba 最小工作电源电压 -0.6 V
闪存芯片 最小工作电源电压 -0.6 V
Toshiba 闪存芯片 最小工作电源电压 -0.6 V
邮箱:
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TC58NVG0S3EBAI4产品技术参数资料
Datasheet
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