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Microchip SST26WF080B-104I/MF 闪存, 8Mbit (2M x 4 位,4M x 2 位,8M x 1 位), SPI, SQI接口, 1.65 → 1.95 V, 8引脚 WDFN封装

制造商零件编号:
SST26WF080B-104I/MF
库存编号:
111-5575
Microchip SST26WF080B-104I/MF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

SST26WF080B-104I/MF产品详细信息

SST26WF040B/080B/016B 串行四路输入/输出 (SQI) SuperFlash? 闪存

Microchip SST26WFxxxB 系列产品是串行四路输入/输出 (SQI) 闪存设备,提供 4、8 和 16 位型号。 这些设备支持与串行外围接口 (SPI) 协议的全命令集兼容型,并且实现最小延迟 Execute-in-Place (XIP) 功能,SRAM 上无需代码阴影。 SST26WFxxxB 设备具有低功耗,使其适用于便携式蓄电池供电的应用。

特点

工作电压范围 1.6 至 1.95V
最大时钟频率 104 MHz
串行接口体系结构
低功耗:有源读取电流:15 mA(104 MHz 时典型),待机电流:10 μA(典型)
脉冲串模式:连续线性脉冲串,8/16/32/64 字节线性脉冲串,带坏绕。
页面编程:每页 256 字节,采用 x1 或 x4 模式
快速擦除时间:扇形/块擦除 18 ms(典型)、25 ms(最大);芯片擦除 35 ms(典型)、50 ms(最大)
灵活的擦除能力
End-of-Write 检测
Write-Suspend
软件保护
软件重置 (RST) 模式
SFDP(串行闪存可发现参数)

SST26WF080B-104I/MF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6mm  
  尺寸  6 x 5 x 0.72mm  
  存储器大小  8Mbit  
  单元类型  分门  
  封装类型  WDFN  
  高度  0.72mm  
  接口类型  SPI, SQI  
  宽度  5mm  
  每字组的位元数目  1 bit, 2 bit, 4 bit  
  引脚数目  8  
  字组数目  2M, 4M, 8M  
  组织  2M x 4 位,4M x 2 位,8M x 1 位  
  最大工作电源电压  1.95 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  1.65 V  
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电话:400-900-3095
QQ:800152669

SST26WF080B-104I/MF产品技术参数资料

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