FJBE2150DTU,864-8953,FJBE2150DTU NPN 发射器开关, 2 A 2.21V, 3针 D2PAK封装 ,Fairchild Semiconductor
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

FJBE2150DTU NPN 发射器开关, 2 A 2.21V, 3针 D2PAK封装

制造商零件编号:
FJBE2150DTU
库存编号:
864-8953
Fairchild Semiconductor FJBE2150DTU
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

FJBE2150DTU产品详细信息

ESBC? 功率晶体管,Fairchild Semiconductor

双极 NPN 功率晶体管专为用于 ESBC?(发射器开关双极/MOSFET 共源栅极)以及适宜的功率 MOSFET 设备而设计。 此电源开关配置由于在设计中未采用 Miller 电容,因此提升了效率、灵活性和稳健性,并且最大限度地降低了驱动功率。

FJBE2150DTU产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  10.67mm  
  尺寸  10.67 x 9.85 x 4.83mm  
  封装类型  D2PAK  
  高度  4.83mm  
  晶体管类型  NPN  
  宽度  9.85mm  
  类别  硅晶体管  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  110 W  
  最大基极电流  1A  
  最大基极源电压  ±20V  
  最大集电极源电压  2.21V  
  最大栅源电压  ±20 V  
  最大直流集电极电流  2 A  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +125 °C  
  最小直流电流增益  20  
关键词         

FJBE2150DTU相关搜索

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  发射极开关双极晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 发射极开关双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor 长度 10.67mm  发射极开关双极晶体管 长度 10.67mm  Fairchild Semiconductor 发射极开关双极晶体管 长度 10.67mm   尺寸 10.67 x 9.85 x 4.83mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 10.67 x 9.85 x 4.83mm  发射极开关双极晶体管 尺寸 10.67 x 9.85 x 4.83mm  Fairchild Semiconductor 发射极开关双极晶体管 尺寸 10.67 x 9.85 x 4.83mm   封装类型 D2PAK  Fairchild Semiconductor 封装类型 D2PAK  发射极开关双极晶体管 封装类型 D2PAK  Fairchild Semiconductor 发射极开关双极晶体管 封装类型 D2PAK   高度 4.83mm  Fairchild Semiconductor 高度 4.83mm  发射极开关双极晶体管 高度 4.83mm  Fairchild Semiconductor 发射极开关双极晶体管 高度 4.83mm   晶体管类型 NPN  Fairchild Semiconductor 晶体管类型 NPN  发射极开关双极晶体管 晶体管类型 NPN  Fairchild Semiconductor 发射极开关双极晶体管 晶体管类型 NPN   宽度 9.85mm  Fairchild Semiconductor 宽度 9.85mm  发射极开关双极晶体管 宽度 9.85mm  Fairchild Semiconductor 发射极开关双极晶体管 宽度 9.85mm   类别 硅晶体管  Fairchild Semiconductor 类别 硅晶体管  发射极开关双极晶体管 类别 硅晶体管  Fairchild Semiconductor 发射极开关双极晶体管 类别 硅晶体管   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  发射极开关双极晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 发射极开关双极晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 110 W  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 110 W  发射极开关双极晶体管 最大功率耗散 110 W  Fairchild Semiconductor 发射极开关双极晶体管 最大功率耗散 110 W   最大基极电流 1A  Fairchild Semiconductor 最大基极电流 1A  发射极开关双极晶体管 最大基极电流 1A  Fairchild Semiconductor 发射极开关双极晶体管 最大基极电流 1A   最大基极源电压 ±20V  Fairchild Semiconductor 最大基极源电压 ±20V  发射极开关双极晶体管 最大基极源电压 ±20V  Fairchild Semiconductor 发射极开关双极晶体管 最大基极源电压 ±20V   最大集电极源电压 2.21V  Fairchild Semiconductor 最大集电极源电压 2.21V  发射极开关双极晶体管 最大集电极源电压 2.21V  Fairchild Semiconductor 发射极开关双极晶体管 最大集电极源电压 2.21V   最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 最大栅源电压 ±20 V  发射极开关双极晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Fairchild Semiconductor 发射极开关双极晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最大直流集电极电流 2 A  Fairchild Semiconductor 最大直流集电极电流 2 A  发射极开关双极晶体管 最大直流集电极电流 2 A  Fairchild Semiconductor 发射极开关双极晶体管 最大直流集电极电流 2 A   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  发射极开关双极晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 发射极开关双极晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +125 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +125 °C  发射极开关双极晶体管 最高工作温度 +125 °C  Fairchild Semiconductor 发射极开关双极晶体管 最高工作温度 +125 °C   最小直流电流增益 20  Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 20  发射极开关双极晶体管 最小直流电流增益 20  Fairchild Semiconductor 发射极开关双极晶体管 最小直流电流增益 20  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

FJBE2150DTU产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号