R1EV5801MBSDRDI#B0,901-5714,Renesas Electronics R1EV5801MBSDRDI#B0 EEPROM 存储器, 1Mbit, 128K x, 8bit, 并行接口, 150 ns, 250 ns, 32引脚 SOP封装 ,Renesas Electronics
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Renesas Electronics R1EV5801MBSDRDI#B0 EEPROM 存储器, 1Mbit, 128K x, 8bit, 并行接口, 150 ns, 250 ns, 32引脚 SOP封装

制造商零件编号:
R1EV5801MBSDRDI#B0
库存编号:
901-5714
Renesas Electronics R1EV5801MBSDRDI#B0
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

R1EV5801MBSDRDI#B0产品详细信息

串行存取 EEPROM,Renesas Electronics

R1EV5801MBSDRDI#B0产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  20.95mm  
  尺寸  20.95 x 11.3 x 2.73mm  
  存储器大小  1Mbit  
  封装类型  SOP  
  高度  2.73mm  
  接口类型  并行  
  宽度  11.3mm  
  每字组的位元数目  8Bit  
  引脚数目  32  
  字组数目  128K  
  组织  128K x 8 位  
  最长随机存取时间  150 ns, 250 ns  
  最大工作电源电压  5.5 V  
  最低工作温度  -40 °C  
  最高工作温度  +85 °C  
  最小工作电源电压  2.7 V  
关键词         

R1EV5801MBSDRDI#B0相关搜索

安装类型 表面贴装  Renesas Electronics 安装类型 表面贴装  EEPROM 存储器芯片 安装类型 表面贴装  Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 安装类型 表面贴装   长度 20.95mm  Renesas Electronics 长度 20.95mm  EEPROM 存储器芯片 长度 20.95mm  Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 长度 20.95mm   尺寸 20.95 x 11.3 x 2.73mm  Renesas Electronics 尺寸 20.95 x 11.3 x 2.73mm  EEPROM 存储器芯片 尺寸 20.95 x 11.3 x 2.73mm  Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 尺寸 20.95 x 11.3 x 2.73mm   存储器大小 1Mbit  Renesas Electronics 存储器大小 1Mbit  EEPROM 存储器芯片 存储器大小 1Mbit  Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 存储器大小 1Mbit   封装类型 SOP  Renesas Electronics 封装类型 SOP  EEPROM 存储器芯片 封装类型 SOP  Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 封装类型 SOP   高度 2.73mm  Renesas Electronics 高度 2.73mm  EEPROM 存储器芯片 高度 2.73mm  Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 高度 2.73mm   接口类型 并行  Renesas Electronics 接口类型 并行  EEPROM 存储器芯片 接口类型 并行  Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 接口类型 并行   宽度 11.3mm  Renesas Electronics 宽度 11.3mm  EEPROM 存储器芯片 宽度 11.3mm  Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 宽度 11.3mm   每字组的位元数目 8Bit  Renesas Electronics 每字组的位元数目 8Bit  EEPROM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit  Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit   引脚数目 32  Renesas Electronics 引脚数目 32  EEPROM 存储器芯片 引脚数目 32  Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 引脚数目 32   字组数目 128K  Renesas Electronics 字组数目 128K  EEPROM 存储器芯片 字组数目 128K  Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 字组数目 128K   组织 128K x 8 位  Renesas Electronics 组织 128K x 8 位  EEPROM 存储器芯片 组织 128K x 8 位  Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 组织 128K x 8 位   最长随机存取时间 150 ns, 250 ns  Renesas Electronics 最长随机存取时间 150 ns, 250 ns  EEPROM 存储器芯片 最长随机存取时间 150 ns, 250 ns  Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 最长随机存取时间 150 ns, 250 ns   最大工作电源电压 5.5 V  Renesas Electronics 最大工作电源电压 5.5 V  EEPROM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V  Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V   最低工作温度 -40 °C  Renesas Electronics 最低工作温度 -40 °C  EEPROM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C  Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +85 °C  Renesas Electronics 最高工作温度 +85 °C  EEPROM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C  Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C   最小工作电源电压 2.7 V  Renesas Electronics 最小工作电源电压 2.7 V  EEPROM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V  Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号