R1EV5801MBSDRDI#B0,901-5714,Renesas Electronics R1EV5801MBSDRDI#B0 EEPROM 存储器, 1Mbit, 128K x, 8bit, 并行接口, 150 ns, 250 ns, 32引脚 SOP封装 ,Renesas Electronics
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R1EV5801MBSDRDI#B0
Renesas Electronics R1EV5801MBSDRDI#B0 EEPROM 存储器, 1Mbit, 128K x, 8bit, 并行接口, 150 ns, 250 ns, 32引脚 SOP封装
制造商零件编号:
R1EV5801MBSDRDI#B0
制造商:
Renesas Electronics
Renesas Electronics
库存编号:
901-5714
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
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R1EV5801MBSDRDI#B0产品详细信息
串行存取 EEPROM,Renesas Electronics
R1EV5801MBSDRDI#B0产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
20.95mm
尺寸
20.95 x 11.3 x 2.73mm
存储器大小
1Mbit
封装类型
SOP
高度
2.73mm
接口类型
并行
宽度
11.3mm
每字组的位元数目
8Bit
引脚数目
32
字组数目
128K
组织
128K x 8 位
最长随机存取时间
150 ns, 250 ns
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
2.7 V
关键词
R1EV5801MBSDRDI#B0相关搜索
安装类型 表面贴装
Renesas Electronics 安装类型 表面贴装
EEPROM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
长度 20.95mm
Renesas Electronics 长度 20.95mm
EEPROM 存储器芯片 长度 20.95mm
Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 长度 20.95mm
尺寸 20.95 x 11.3 x 2.73mm
Renesas Electronics 尺寸 20.95 x 11.3 x 2.73mm
EEPROM 存储器芯片 尺寸 20.95 x 11.3 x 2.73mm
Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 尺寸 20.95 x 11.3 x 2.73mm
存储器大小 1Mbit
Renesas Electronics 存储器大小 1Mbit
EEPROM 存储器芯片 存储器大小 1Mbit
Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 存储器大小 1Mbit
封装类型 SOP
Renesas Electronics 封装类型 SOP
EEPROM 存储器芯片 封装类型 SOP
Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 封装类型 SOP
高度 2.73mm
Renesas Electronics 高度 2.73mm
EEPROM 存储器芯片 高度 2.73mm
Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 高度 2.73mm
接口类型 并行
Renesas Electronics 接口类型 并行
EEPROM 存储器芯片 接口类型 并行
Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 接口类型 并行
宽度 11.3mm
Renesas Electronics 宽度 11.3mm
EEPROM 存储器芯片 宽度 11.3mm
Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 宽度 11.3mm
每字组的位元数目 8Bit
Renesas Electronics 每字组的位元数目 8Bit
EEPROM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
引脚数目 32
Renesas Electronics 引脚数目 32
EEPROM 存储器芯片 引脚数目 32
Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 引脚数目 32
字组数目 128K
Renesas Electronics 字组数目 128K
EEPROM 存储器芯片 字组数目 128K
Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 字组数目 128K
组织 128K x 8 位
Renesas Electronics 组织 128K x 8 位
EEPROM 存储器芯片 组织 128K x 8 位
Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 组织 128K x 8 位
最长随机存取时间 150 ns, 250 ns
Renesas Electronics 最长随机存取时间 150 ns, 250 ns
EEPROM 存储器芯片 最长随机存取时间 150 ns, 250 ns
Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 最长随机存取时间 150 ns, 250 ns
最大工作电源电压 5.5 V
Renesas Electronics 最大工作电源电压 5.5 V
EEPROM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
最低工作温度 -40 °C
Renesas Electronics 最低工作温度 -40 °C
EEPROM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
Renesas Electronics 最高工作温度 +85 °C
EEPROM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 2.7 V
Renesas Electronics 最小工作电源电压 2.7 V
EEPROM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V
Renesas Electronics EEPROM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.7 V
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R1EV5801MBSDRDI#B0产品技术参数资料
R1EV5801MB Series, 1M EEPROM (128K word x 8-bit) Ready/Busy and RES function
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