CAT93C46WI-G,800-9939,ON Semiconductor CAT93C46WI-G EEPROM 存储器, 1kb, 64, 128 x, 8 bit, 16 bit, 串行 - Microwire接口, 250ns, 1.8 → 5.5 V ,ON Semiconductor
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CAT93C46WI-G
ON Semiconductor CAT93C46WI-G EEPROM 存储器, 1kb, 64, 128 x, 8 bit, 16 bit, 串行 - Microwire接口, 250ns, 1.8 → 5.5 V
制造商零件编号：
CAT93C46WI-G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
800-9939
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
CAT93C46WI-G产品详细信息
电可擦除 PROM 串行 Microwire，ON Semiconductor
CAT93C46WI-G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
5.33mm
尺寸
5.33 x 5.38 x 1.78mm
存储器大小
1kB
封装类型
SOIC
高度
1.78mm
接口类型
串行 - Microwire
宽度
5.38mm
每字组的位元数目
8 bit, 16 bit
数据保留
100年
引脚数目
8
字组数目
64, 128
组织
128 x 8 位，64 x 16 位
最长随机存取时间
250ns
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
1.8 V
关键词
CAT93C46WI-G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
EEPROM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
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长度 5.33mm
ON Semiconductor 长度 5.33mm
EEPROM 存储器芯片 长度 5.33mm
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 长度 5.33mm
尺寸 5.33 x 5.38 x 1.78mm
ON Semiconductor 尺寸 5.33 x 5.38 x 1.78mm
EEPROM 存储器芯片 尺寸 5.33 x 5.38 x 1.78mm
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 尺寸 5.33 x 5.38 x 1.78mm
存储器大小 1kB
ON Semiconductor 存储器大小 1kB
EEPROM 存储器芯片 存储器大小 1kB
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 存储器大小 1kB
封装类型 SOIC
ON Semiconductor 封装类型 SOIC
EEPROM 存储器芯片 封装类型 SOIC
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 封装类型 SOIC
高度 1.78mm
ON Semiconductor 高度 1.78mm
EEPROM 存储器芯片 高度 1.78mm
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 高度 1.78mm
接口类型 串行 - Microwire
ON Semiconductor 接口类型 串行 - Microwire
EEPROM 存储器芯片 接口类型 串行 - Microwire
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 接口类型 串行 - Microwire
宽度 5.38mm
ON Semiconductor 宽度 5.38mm
EEPROM 存储器芯片 宽度 5.38mm
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 宽度 5.38mm
每字组的位元数目 8 bit, 16 bit
ON Semiconductor 每字组的位元数目 8 bit, 16 bit
EEPROM 存储器芯片 每字组的位元数目 8 bit, 16 bit
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 每字组的位元数目 8 bit, 16 bit
数据保留 100年
ON Semiconductor 数据保留 100年
EEPROM 存储器芯片 数据保留 100年
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 数据保留 100年
引脚数目 8
ON Semiconductor 引脚数目 8
EEPROM 存储器芯片 引脚数目 8
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 引脚数目 8
字组数目 64, 128
ON Semiconductor 字组数目 64, 128
EEPROM 存储器芯片 字组数目 64, 128
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 字组数目 64, 128
组织 128 x 8 位，64 x 16 位
ON Semiconductor 组织 128 x 8 位，64 x 16 位
EEPROM 存储器芯片 组织 128 x 8 位，64 x 16 位
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 组织 128 x 8 位，64 x 16 位
最长随机存取时间 250ns
ON Semiconductor 最长随机存取时间 250ns
EEPROM 存储器芯片 最长随机存取时间 250ns
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 最长随机存取时间 250ns
最大工作电源电压 5.5 V
ON Semiconductor 最大工作电源电压 5.5 V
EEPROM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
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最低工作温度 -40 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -40 °C
EEPROM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +85 °C
EEPROM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
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最小工作电源电压 1.8 V
ON Semiconductor 最小工作电源电压 1.8 V
EEPROM 存储器芯片 最小工作电源电压 1.8 V
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 最小工作电源电压 1.8 V
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