CAT24C64ZI-GT3,800-9828,ON Semiconductor CAT24C64ZI-GT3 EEPROM 存储器, 64kbit, 8192 x, 8, 串行 - I2C接口, 1000ns, 1.7 → 5.5 V, 8引脚 MSOP封装 ,ON Semiconductor
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CAT24C64ZI-GT3
ON Semiconductor CAT24C64ZI-GT3 EEPROM 存储器, 64kbit, 8192 x, 8, 串行 - I2C接口, 1000ns, 1.7 → 5.5 V, 8引脚 MSOP封装
制造商零件编号：
CAT24C64ZI-GT3
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
800-9828
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
CAT24C64ZI-GT3产品详细信息
电可擦除 PROM 串行 I2C，ON Semiconductor
CAT24C64ZI-GT3产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.1mm
尺寸
3.1 x 3.1 x 0.95mm
存储器大小
64Kbit
封装类型
MSOP
高度
0.95mm
接口类型
串行 - I2C
宽度
3.1mm
每字组的位元数目
8
数据保留
100年
引脚数目
8
字组数目
8192
组织
8192 x 8 位
最长随机存取时间
1000ns
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
1.7 V
关键词
CAT24C64ZI-GT3相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
EEPROM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
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长度 3.1mm
ON Semiconductor 长度 3.1mm
EEPROM 存储器芯片 长度 3.1mm
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 长度 3.1mm
尺寸 3.1 x 3.1 x 0.95mm
ON Semiconductor 尺寸 3.1 x 3.1 x 0.95mm
EEPROM 存储器芯片 尺寸 3.1 x 3.1 x 0.95mm
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 尺寸 3.1 x 3.1 x 0.95mm
存储器大小 64Kbit
ON Semiconductor 存储器大小 64Kbit
EEPROM 存储器芯片 存储器大小 64Kbit
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 存储器大小 64Kbit
封装类型 MSOP
ON Semiconductor 封装类型 MSOP
EEPROM 存储器芯片 封装类型 MSOP
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 封装类型 MSOP
高度 0.95mm
ON Semiconductor 高度 0.95mm
EEPROM 存储器芯片 高度 0.95mm
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 高度 0.95mm
接口类型 串行 - I2C
ON Semiconductor 接口类型 串行 - I2C
EEPROM 存储器芯片 接口类型 串行 - I2C
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 接口类型 串行 - I2C
宽度 3.1mm
ON Semiconductor 宽度 3.1mm
EEPROM 存储器芯片 宽度 3.1mm
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 宽度 3.1mm
每字组的位元数目 8
ON Semiconductor 每字组的位元数目 8
EEPROM 存储器芯片 每字组的位元数目 8
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 每字组的位元数目 8
数据保留 100年
ON Semiconductor 数据保留 100年
EEPROM 存储器芯片 数据保留 100年
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 数据保留 100年
引脚数目 8
ON Semiconductor 引脚数目 8
EEPROM 存储器芯片 引脚数目 8
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 引脚数目 8
字组数目 8192
ON Semiconductor 字组数目 8192
EEPROM 存储器芯片 字组数目 8192
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 字组数目 8192
组织 8192 x 8 位
ON Semiconductor 组织 8192 x 8 位
EEPROM 存储器芯片 组织 8192 x 8 位
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 组织 8192 x 8 位
最长随机存取时间 1000ns
ON Semiconductor 最长随机存取时间 1000ns
EEPROM 存储器芯片 最长随机存取时间 1000ns
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 最长随机存取时间 1000ns
最大工作电源电压 5.5 V
ON Semiconductor 最大工作电源电压 5.5 V
EEPROM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
最低工作温度 -40 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -40 °C
EEPROM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +85 °C
EEPROM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 1.7 V
ON Semiconductor 最小工作电源电压 1.7 V
EEPROM 存储器芯片 最小工作电源电压 1.7 V
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 最小工作电源电压 1.7 V
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CAT24C64ZI-GT3产品技术参数资料
CAT24C64, 64KB I2C CMOS Serial EEPROM Data Sheet
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