CAT25128VP2I-GT3,781-4878,ON Semiconductor CAT25128VP2I-GT3 EEPROM 存储器, 128kbit, 16K x, 8bit, SPI接口, 140ns, 1.8 → 5.5 V, 8引脚 TDFN封装 ,ON Semiconductor
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CAT25128VP2I-GT3
ON Semiconductor CAT25128VP2I-GT3 EEPROM 存储器, 128kbit, 16K x, 8bit, SPI接口, 140ns, 1.8 → 5.5 V, 8引脚 TDFN封装
制造商零件编号：
CAT25128VP2I-GT3
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
781-4878
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
CAT25128VP2I-GT3产品详细信息
电可擦 PROM 串行 SPI，On Semiconductor
CAT25128VP2I-GT3产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.1mm
尺寸
3.1 x 2.1 x 0.75mm
存储器大小
128Kbit
封装类型
TDFN
高度
0.75mm
接口类型
SPI
宽度
2.1mm
每字组的位元数目
8Bit
数据保留
100年
引脚数目
8
字组数目
16K
组织
16k x 8 位
最长随机存取时间
140ns
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
1.8 V
关键词
CAT25128VP2I-GT3相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
EEPROM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
长度 3.1mm
ON Semiconductor 长度 3.1mm
EEPROM 存储器芯片 长度 3.1mm
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 长度 3.1mm
尺寸 3.1 x 2.1 x 0.75mm
ON Semiconductor 尺寸 3.1 x 2.1 x 0.75mm
EEPROM 存储器芯片 尺寸 3.1 x 2.1 x 0.75mm
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 尺寸 3.1 x 2.1 x 0.75mm
存储器大小 128Kbit
ON Semiconductor 存储器大小 128Kbit
EEPROM 存储器芯片 存储器大小 128Kbit
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 存储器大小 128Kbit
封装类型 TDFN
ON Semiconductor 封装类型 TDFN
EEPROM 存储器芯片 封装类型 TDFN
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 封装类型 TDFN
高度 0.75mm
ON Semiconductor 高度 0.75mm
EEPROM 存储器芯片 高度 0.75mm
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 高度 0.75mm
接口类型 SPI
ON Semiconductor 接口类型 SPI
EEPROM 存储器芯片 接口类型 SPI
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 接口类型 SPI
宽度 2.1mm
ON Semiconductor 宽度 2.1mm
EEPROM 存储器芯片 宽度 2.1mm
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 宽度 2.1mm
每字组的位元数目 8Bit
ON Semiconductor 每字组的位元数目 8Bit
EEPROM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
数据保留 100年
ON Semiconductor 数据保留 100年
EEPROM 存储器芯片 数据保留 100年
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 数据保留 100年
引脚数目 8
ON Semiconductor 引脚数目 8
EEPROM 存储器芯片 引脚数目 8
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 引脚数目 8
字组数目 16K
ON Semiconductor 字组数目 16K
EEPROM 存储器芯片 字组数目 16K
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 字组数目 16K
组织 16k x 8 位
ON Semiconductor 组织 16k x 8 位
EEPROM 存储器芯片 组织 16k x 8 位
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 组织 16k x 8 位
最长随机存取时间 140ns
ON Semiconductor 最长随机存取时间 140ns
EEPROM 存储器芯片 最长随机存取时间 140ns
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 最长随机存取时间 140ns
最大工作电源电压 5.5 V
ON Semiconductor 最大工作电源电压 5.5 V
EEPROM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
最低工作温度 -40 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -40 °C
EEPROM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +85 °C
EEPROM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 1.8 V
ON Semiconductor 最小工作电源电压 1.8 V
EEPROM 存储器芯片 最小工作电源电压 1.8 V
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 最小工作电源电压 1.8 V
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CAT25128VP2I-GT3产品技术参数资料
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