CAV24C08WE-GT3,755-9880,ON Semiconductor CAV24C08WE-GT3 EEPROM 存储器, 8kb, 1K x, 8bit, 串行 - I2C接口, 900ns, 2.5 → 5.5 V, 8引脚 SOIC封装 ,ON Semiconductor
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CAV24C08WE-GT3
ON Semiconductor CAV24C08WE-GT3 EEPROM 存储器, 8kb, 1K x, 8bit, 串行 - I2C接口, 900ns, 2.5 → 5.5 V, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号：
CAV24C08WE-GT3
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
755-9880
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
CAV24C08WE-GT3产品详细信息
电可擦除 PROM 串行 I2C，ON Semiconductor
CAV24C08WE-GT3产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
5mm
尺寸
5 x 4 x 1.5mm
存储器大小
8kB
封装类型
SOIC
高度
1.5mm
接口类型
串行 - I2C
宽度
4mm
每字组的位元数目
8Bit
数据保留
100年
引脚数目
8
字组数目
1K
组织
1K x 8
最长随机存取时间
900ns
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+125 °C
最小工作电源电压
2.5 V
关键词
CAV24C08WE-GT3相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
EEPROM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
长度 5mm
ON Semiconductor 长度 5mm
EEPROM 存储器芯片 长度 5mm
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 长度 5mm
尺寸 5 x 4 x 1.5mm
ON Semiconductor 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
EEPROM 存储器芯片 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
存储器大小 8kB
ON Semiconductor 存储器大小 8kB
EEPROM 存储器芯片 存储器大小 8kB
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 存储器大小 8kB
封装类型 SOIC
ON Semiconductor 封装类型 SOIC
EEPROM 存储器芯片 封装类型 SOIC
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 封装类型 SOIC
高度 1.5mm
ON Semiconductor 高度 1.5mm
EEPROM 存储器芯片 高度 1.5mm
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 高度 1.5mm
接口类型 串行 - I2C
ON Semiconductor 接口类型 串行 - I2C
EEPROM 存储器芯片 接口类型 串行 - I2C
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 接口类型 串行 - I2C
宽度 4mm
ON Semiconductor 宽度 4mm
EEPROM 存储器芯片 宽度 4mm
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 宽度 4mm
每字组的位元数目 8Bit
ON Semiconductor 每字组的位元数目 8Bit
EEPROM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 每字组的位元数目 8Bit
数据保留 100年
ON Semiconductor 数据保留 100年
EEPROM 存储器芯片 数据保留 100年
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 数据保留 100年
引脚数目 8
ON Semiconductor 引脚数目 8
EEPROM 存储器芯片 引脚数目 8
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 引脚数目 8
字组数目 1K
ON Semiconductor 字组数目 1K
EEPROM 存储器芯片 字组数目 1K
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 字组数目 1K
组织 1K x 8
ON Semiconductor 组织 1K x 8
EEPROM 存储器芯片 组织 1K x 8
ON Semiconductor EEPROM 存储器芯片 组织 1K x 8
最长随机存取时间 900ns
ON Semiconductor 最长随机存取时间 900ns
EEPROM 存储器芯片 最长随机存取时间 900ns
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最大工作电源电压 5.5 V
ON Semiconductor 最大工作电源电压 5.5 V
EEPROM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
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最低工作温度 -40 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -40 °C
EEPROM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
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最高工作温度 +125 °C
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