M93C46-WMN6TP,686-2413,STMicroelectronics M93C46-WMN6TP 串行 EEPROM 存储器, 1kbit, 串行 - Microwire接口, 200ns, 2.5 → 5.5 V, 8引脚 SOIC封装 ,STMicroelectronics
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M93C46-WMN6TP
STMicroelectronics M93C46-WMN6TP 串行 EEPROM 存储器, 1kbit, 串行 - Microwire接口, 200ns, 2.5 → 5.5 V, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号:
M93C46-WMN6TP
制造商:
STMicroelectronics
STMicroelectronics
库存编号:
686-2413
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
M93C46-WMN6TP产品详细信息
电可擦除 PROM 串行 Microwire,STMicroelectronics
工业标准 MICROWIRE? 总线
M93C46-WMN6TP产品技术参数
安装类型
表面贴装
编程电压
2.5 → 5.5V
长度
4.9mm
尺寸
4.9 x 3.9 x 1.25mm
存储器大小
1Kbit
封装类型
SOIC
高度
1.25mm
接口类型
串行 - Microwire
宽度
3.9mm
数据保留
40年
引脚数目
8
组织
128 x 8 位,64 x 16 位
最长随机存取时间
200ns
最大工作电源电压
5.5 V
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
最小工作电源电压
2.5 V
关键词
M93C46-WMN6TP相关搜索
安装类型 表面贴装
STMicroelectronics 安装类型 表面贴装
EEPROM 存储器芯片 安装类型 表面贴装
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编程电压 2.5 → 5.5V
STMicroelectronics 编程电压 2.5 → 5.5V
EEPROM 存储器芯片 编程电压 2.5 → 5.5V
STMicroelectronics EEPROM 存储器芯片 编程电压 2.5 → 5.5V
长度 4.9mm
STMicroelectronics 长度 4.9mm
EEPROM 存储器芯片 长度 4.9mm
STMicroelectronics EEPROM 存储器芯片 长度 4.9mm
尺寸 4.9 x 3.9 x 1.25mm
STMicroelectronics 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.25mm
EEPROM 存储器芯片 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.25mm
STMicroelectronics EEPROM 存储器芯片 尺寸 4.9 x 3.9 x 1.25mm
存储器大小 1Kbit
STMicroelectronics 存储器大小 1Kbit
EEPROM 存储器芯片 存储器大小 1Kbit
STMicroelectronics EEPROM 存储器芯片 存储器大小 1Kbit
封装类型 SOIC
STMicroelectronics 封装类型 SOIC
EEPROM 存储器芯片 封装类型 SOIC
STMicroelectronics EEPROM 存储器芯片 封装类型 SOIC
高度 1.25mm
STMicroelectronics 高度 1.25mm
EEPROM 存储器芯片 高度 1.25mm
STMicroelectronics EEPROM 存储器芯片 高度 1.25mm
接口类型 串行 - Microwire
STMicroelectronics 接口类型 串行 - Microwire
EEPROM 存储器芯片 接口类型 串行 - Microwire
STMicroelectronics EEPROM 存储器芯片 接口类型 串行 - Microwire
宽度 3.9mm
STMicroelectronics 宽度 3.9mm
EEPROM 存储器芯片 宽度 3.9mm
STMicroelectronics EEPROM 存储器芯片 宽度 3.9mm
数据保留 40年
STMicroelectronics 数据保留 40年
EEPROM 存储器芯片 数据保留 40年
STMicroelectronics EEPROM 存储器芯片 数据保留 40年
引脚数目 8
STMicroelectronics 引脚数目 8
EEPROM 存储器芯片 引脚数目 8
STMicroelectronics EEPROM 存储器芯片 引脚数目 8
组织 128 x 8 位,64 x 16 位
STMicroelectronics 组织 128 x 8 位,64 x 16 位
EEPROM 存储器芯片 组织 128 x 8 位,64 x 16 位
STMicroelectronics EEPROM 存储器芯片 组织 128 x 8 位,64 x 16 位
最长随机存取时间 200ns
STMicroelectronics 最长随机存取时间 200ns
EEPROM 存储器芯片 最长随机存取时间 200ns
STMicroelectronics EEPROM 存储器芯片 最长随机存取时间 200ns
最大工作电源电压 5.5 V
STMicroelectronics 最大工作电源电压 5.5 V
EEPROM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
STMicroelectronics EEPROM 存储器芯片 最大工作电源电压 5.5 V
最低工作温度 -40 °C
STMicroelectronics 最低工作温度 -40 °C
EEPROM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
STMicroelectronics EEPROM 存储器芯片 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
STMicroelectronics 最高工作温度 +85 °C
EEPROM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
STMicroelectronics EEPROM 存储器芯片 最高工作温度 +85 °C
最小工作电源电压 2.5 V
STMicroelectronics 最小工作电源电压 2.5 V
EEPROM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.5 V
STMicroelectronics EEPROM 存储器芯片 最小工作电源电压 2.5 V
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M93C46-WMN6TP产品技术参数资料
M93C86, M93C76, M93C66 M93C56, M93C46 16 Kbit, 8 Kbit, 4 Kbit, 2 Kbit and 1 Kbit (8-bit or 16-bit wide) MICROWIRE serial access EEPROM Data Sheet
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