BCR523UE6433,857-8365,Infineon BCR523UE6433 双 NPN 数字晶体管, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:0.1, 6引脚 SC-74封装 ,Infineon
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BCR523UE6433
Infineon BCR523UE6433 双 NPN 数字晶体管, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:0.1, 6引脚 SC-74封装
制造商零件编号:
BCR523UE6433
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
857-8365
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BCR523UE6433产品详细信息
双电阻器双数字晶体管,Infineon
BCR523UE6433产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.9mm
尺寸
2.9 x 1.6 x 1mm
典型电阻比
0.1
典型输入电阻器
1 kΩ
封装类型
SC-74
高度
1mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
隔离式
宽度
1.6mm
每片芯片元件数目
2
引脚数目
6
最大发射极-基极电压
5 V
最大功率耗散
330 mW
最大集电极-发射极饱和电压
0.3 mV
最大集电极-发射极电压
50 V
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
70
关键词
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安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
数字晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon 数字晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2.9mm
Infineon 长度 2.9mm
数字晶体管 长度 2.9mm
Infineon 数字晶体管 长度 2.9mm
尺寸 2.9 x 1.6 x 1mm
Infineon 尺寸 2.9 x 1.6 x 1mm
数字晶体管 尺寸 2.9 x 1.6 x 1mm
Infineon 数字晶体管 尺寸 2.9 x 1.6 x 1mm
典型电阻比 0.1
Infineon 典型电阻比 0.1
数字晶体管 典型电阻比 0.1
Infineon 数字晶体管 典型电阻比 0.1
典型输入电阻器 1 kΩ
Infineon 典型输入电阻器 1 kΩ
数字晶体管 典型输入电阻器 1 kΩ
Infineon 数字晶体管 典型输入电阻器 1 kΩ
封装类型 SC-74
Infineon 封装类型 SC-74
数字晶体管 封装类型 SC-74
Infineon 数字晶体管 封装类型 SC-74
高度 1mm
Infineon 高度 1mm
数字晶体管 高度 1mm
Infineon 数字晶体管 高度 1mm
晶体管类型 NPN
Infineon 晶体管类型 NPN
数字晶体管 晶体管类型 NPN
Infineon 数字晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 隔离式
Infineon 晶体管配置 隔离式
数字晶体管 晶体管配置 隔离式
Infineon 数字晶体管 晶体管配置 隔离式
宽度 1.6mm
Infineon 宽度 1.6mm
数字晶体管 宽度 1.6mm
Infineon 数字晶体管 宽度 1.6mm
每片芯片元件数目 2
Infineon 每片芯片元件数目 2
数字晶体管 每片芯片元件数目 2
Infineon 数字晶体管 每片芯片元件数目 2
引脚数目 6
Infineon 引脚数目 6
数字晶体管 引脚数目 6
Infineon 数字晶体管 引脚数目 6
最大发射极-基极电压 5 V
Infineon 最大发射极-基极电压 5 V
数字晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
Infineon 数字晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大功率耗散 330 mW
Infineon 最大功率耗散 330 mW
数字晶体管 最大功率耗散 330 mW
Infineon 数字晶体管 最大功率耗散 330 mW
最大集电极-发射极饱和电压 0.3 mV
Infineon 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 mV
数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 mV
Infineon 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 mV
最大集电极-发射极电压 50 V
Infineon 最大集电极-发射极电压 50 V
数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
Infineon 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
最高工作温度 +150 °C
Infineon 最高工作温度 +150 °C
数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
Infineon 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 70
Infineon 最小直流电流增益 70
数字晶体管 最小直流电流增益 70
Infineon 数字晶体管 最小直流电流增益 70
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BCR523UE6433产品技术参数资料
BCR523 series NPN Digital Transistors
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