BCR191WH6327,857-8321,Infineon BCR191WH6327 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-323封装 ,Infineon
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Infineon BCR191WH6327 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-323封装

制造商零件编号：
BCR191WH6327
库存编号：
857-8321
Infineon BCR191WH6327
声明：图片仅供参考，请以实物为准！


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BCR191WH6327产品详细信息

双电阻器数字晶体管，Infineon

Infineon 的一系列双极性结点晶体，配有集成电阻器，允许直接从数字来源驱动，无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。

BCR191WH6327产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2mm  
  尺寸  2 x 1.25 x 0.8mm  
  典型电阻比  1  
  典型输入电阻器  22 kΩ  
  封装类型  SOT-323  
  高度  0.8mm  
  晶体管类型  PNP  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.25mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  -10 V  
  最大功率耗散  250 mW  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.3 V  
  最大集电极-发射极电压  -50 V  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  50  
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安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  数字晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon 数字晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2mm  Infineon 长度 2mm  数字晶体管 长度 2mm  Infineon 数字晶体管 长度 2mm   尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm  Infineon 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm  数字晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm  Infineon 数字晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm   典型电阻比 1  Infineon 典型电阻比 1  数字晶体管 典型电阻比 1  Infineon 数字晶体管 典型电阻比 1   典型输入电阻器 22 kΩ  Infineon 典型输入电阻器 22 kΩ  数字晶体管 典型输入电阻器 22 kΩ  Infineon 数字晶体管 典型输入电阻器 22 kΩ   封装类型 SOT-323  Infineon 封装类型 SOT-323  数字晶体管 封装类型 SOT-323  Infineon 数字晶体管 封装类型 SOT-323   高度 0.8mm  Infineon 高度 0.8mm  数字晶体管 高度 0.8mm  Infineon 数字晶体管 高度 0.8mm   晶体管类型 PNP  Infineon 晶体管类型 PNP  数字晶体管 晶体管类型 PNP  Infineon 数字晶体管 晶体管类型 PNP   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  数字晶体管 晶体管配置 单  Infineon 数字晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.25mm  Infineon 宽度 1.25mm  数字晶体管 宽度 1.25mm  Infineon 数字晶体管 宽度 1.25mm   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  数字晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon 数字晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Infineon 引脚数目 3  数字晶体管 引脚数目 3  Infineon 数字晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 -10 V  Infineon 最大发射极-基极电压 -10 V  数字晶体管 最大发射极-基极电压 -10 V  Infineon 数字晶体管 最大发射极-基极电压 -10 V   最大功率耗散 250 mW  Infineon 最大功率耗散 250 mW  数字晶体管 最大功率耗散 250 mW  Infineon 数字晶体管 最大功率耗散 250 mW   最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  Infineon 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  Infineon 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V   最大集电极-发射极电压 -50 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 -50 V  数字晶体管 最大集电极-发射极电压 -50 V  Infineon 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 -50 V   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  数字晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 50  Infineon 最小直流电流增益 50  数字晶体管 最小直流电流增益 50  Infineon 数字晶体管 最小直流电流增益 50  
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型号 制造商 描述 操作
BCR191WH6327XTSA1
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TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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BCR 191W H6327
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Bipolar Transistors - Pre-Biased AF DIGITAL TRANSISTOR

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BCR191WH6327XTSA1
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-323 T/R - Tape and Reel (Alt: BCR191WH6327XTSA1)

RoHS: Compliant

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BCR191WH6327XTSA1
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

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BCR191WH6327
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Transistor: PNP, bipolar, BRT, 50V, 100mA, 250mW, SOT323, R1:22kΩ

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BCR 191W H6327|Infineon TechnologiesBCR 191W H6327
Infineon Technologies		TRANS PNP DGTL 50V 100MA SOT323
Rohs

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无图BCR191WH6327
Infineon Technologies		原厂原装货
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无图BCR191WH6327XTSA1
Infineon Technologies		TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
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Infineon Technologies - BCR191WH6327XTSA1 - TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3		Infineon Technologies
TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3

型号：BCR191WH6327XTSA1
仓库库存编号：BCR191WH6327XTSA1TR-ND
别名：BCR 191W H6327 <br>BCR 191W H6327-ND <br>SP000757896 <br>

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Infineon - BCR191WH6327 - Infineon BCR191WH6327 PNP 数字晶体管, Vce=-50 V, 22 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-323封装
制造商零件编号：
BCR191WH6327
品牌：
Infineon
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BCR 191W H6327|Infineon TechnologiesBCR 191W H6327
Infineon Technologies		TRANS PNP DGTL 50V 100MA SOT323
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BCR191WH6327产品技术参数资料

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