IMD10AT108,826-8529,ROHM IMD10AT108 双 NPN，PNP 数字晶体管, 100 (NPN) mA,-500 (PNP) mA, Vce=50 (NPN) V，-50 (PNP) V, 100 Ω, 电阻比:0.01, 6引脚 SC-74封装 ,ROHM
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

ROHM IMD10AT108 双 NPN，PNP 数字晶体管, 100 (NPN) mA,-500 (PNP) mA, Vce=50 (NPN) V，-50 (PNP) V, 100 Ω, 电阻比:0.01, 6引脚 SC-74封装

制造商零件编号：
IMD10AT108
制造商：
ROHM ROHM
库存编号：
826-8529
ROHM IMD10AT108
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

IMD10AT108产品详细信息

双电阻器双数字 NPN+PNP 晶体管，ROHM

IMD10AT108产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.9mm  
  尺寸  2.9 x 1.6 x 1.1mm  
  底座发射器电阻器  None  
  典型电阻比  0.01  
  典型输入电阻器  100 Ω  
  封装类型  SC-74  
  高度  1.1mm  
  晶体管类型  NPN，PNP  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.6mm  
  每片芯片元件数目  2  
  引脚数目  6  
  最大发射极-基极电压  5 V  
  最大功率耗散  300 mW  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.3 V  
  最大集电极-发射极电压  50 (NPN) V，-50 (PNP) V  
  最大连续集电极电流  100 (NPN) mA，-500 (PNP) mA  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  100  
关键词         

IMD10AT108相关搜索

安装类型 表面贴装  ROHM 安装类型 表面贴装  数字晶体管 安装类型 表面贴装  ROHM 数字晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.9mm  ROHM 长度 2.9mm  数字晶体管 长度 2.9mm  ROHM 数字晶体管 长度 2.9mm   尺寸 2.9 x 1.6 x 1.1mm  ROHM 尺寸 2.9 x 1.6 x 1.1mm  数字晶体管 尺寸 2.9 x 1.6 x 1.1mm  ROHM 数字晶体管 尺寸 2.9 x 1.6 x 1.1mm   底座发射器电阻器 None  ROHM 底座发射器电阻器 None  数字晶体管 底座发射器电阻器 None  ROHM 数字晶体管 底座发射器电阻器 None   典型电阻比 0.01  ROHM 典型电阻比 0.01  数字晶体管 典型电阻比 0.01  ROHM 数字晶体管 典型电阻比 0.01   典型输入电阻器 100 Ω  ROHM 典型输入电阻器 100 Ω  数字晶体管 典型输入电阻器 100 Ω  ROHM 数字晶体管 典型输入电阻器 100 Ω   封装类型 SC-74  ROHM 封装类型 SC-74  数字晶体管 封装类型 SC-74  ROHM 数字晶体管 封装类型 SC-74   高度 1.1mm  ROHM 高度 1.1mm  数字晶体管 高度 1.1mm  ROHM 数字晶体管 高度 1.1mm   晶体管类型 NPN，PNP  ROHM 晶体管类型 NPN，PNP  数字晶体管 晶体管类型 NPN，PNP  ROHM 数字晶体管 晶体管类型 NPN，PNP   晶体管配置 隔离式  ROHM 晶体管配置 隔离式  数字晶体管 晶体管配置 隔离式  ROHM 数字晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 1.6mm  ROHM 宽度 1.6mm  数字晶体管 宽度 1.6mm  ROHM 数字晶体管 宽度 1.6mm   每片芯片元件数目 2  ROHM 每片芯片元件数目 2  数字晶体管 每片芯片元件数目 2  ROHM 数字晶体管 每片芯片元件数目 2   引脚数目 6  ROHM 引脚数目 6  数字晶体管 引脚数目 6  ROHM 数字晶体管 引脚数目 6   最大发射极-基极电压 5 V  ROHM 最大发射极-基极电压 5 V  数字晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  ROHM 数字晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大功率耗散 300 mW  ROHM 最大功率耗散 300 mW  数字晶体管 最大功率耗散 300 mW  ROHM 数字晶体管 最大功率耗散 300 mW   最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  ROHM 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  ROHM 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V   最大集电极-发射极电压 50 (NPN) V，-50 (PNP) V  ROHM 最大集电极-发射极电压 50 (NPN) V，-50 (PNP) V  数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 (NPN) V，-50 (PNP) V  ROHM 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 (NPN) V，-50 (PNP) V   最大连续集电极电流 100 (NPN) mA，-500 (PNP) mA  ROHM 最大连续集电极电流 100 (NPN) mA，-500 (PNP) mA  数字晶体管 最大连续集电极电流 100 (NPN) mA，-500 (PNP) mA  ROHM 数字晶体管 最大连续集电极电流 100 (NPN) mA，-500 (PNP) mA   最高工作温度 +150 °C  ROHM 最高工作温度 +150 °C  数字晶体管 最高工作温度 +150 °C  ROHM 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 100  ROHM 最小直流电流增益 100  数字晶体管 最小直流电流增益 100  ROHM 数字晶体管 最小直流电流增益 100  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

IMD10AT108产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号