IMD10AT108,826-8529,ROHM IMD10AT108 双 NPN，PNP 数字晶体管, 100 (NPN) mA,-500 (PNP) mA, Vce=50 (NPN) V，-50 (PNP) V, 100 Ω, 电阻比:0.01, 6引脚 SC-74封装 ,ROHM
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ROHM IMD10AT108 双 NPN，PNP 数字晶体管, 100 (NPN) mA,-500 (PNP) mA, Vce=50 (NPN) V，-50 (PNP) V, 100 Ω, 电阻比:0.01, 6引脚 SC-74封装

制造商零件编号：
IMD10AT108
制造商：
ROHM ROHM
库存编号：
826-8529
ROHM IMD10AT108
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
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型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IMD10AT108
库存编号:IMD10AT108DKR-ND		 ROHM Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT67561
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IMD10AT108
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IMD10AT108
库存编号:IMD10AT108TR-ND		 ROHM Semiconductor TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT63000
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6000+
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IMD10AT108
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IMD10AT108
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IMD10AT108
库存编号:77299235		 ROHM Semiconductor Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA/0.5mA 300mW 6-Pin SMT T/R0
3000起订		3000+
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IMD10AT108
库存编号:43713373		 ROHM Semiconductor Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA/0.5mA 300mW 6-Pin SMT T/R0
381起订		381+
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IMD10AT108
库存编号:66701257		 ROHM Semiconductor Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA/0.5mA 300mW 6-Pin SMT T/R0
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IMD10AT108
库存编号:IMD10AT108		 ROHM Semiconductor Digital Transistors NPN/PNP 50V 500MA SOT-4570
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IMD10AT108
库存编号:IMD10AT108		 ROHM Semiconductor Transistor: NPN / PNP, bipolar, BRT,complementary pair, 50V0
5起订		5+
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￥1.18
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IMD10A-T108 ROHM Semiconductor PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-45732702
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IMD10A-T108 ROHM Semiconductor PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-45716224
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￥10.7
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IMD10A-T108 ROHM Semiconductor PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-4576699
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IMD10A-T108 ROHM Semiconductor PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-4572228
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1419+
￥17.19
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  香港8号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 实时库存 起订量 实时单价
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IMD10AT108 ROHM Semiconductor RoHS (ship within 1day) - D/C 20232785
1起订		1+
50+
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500+
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￥1.47
￥1.36
￥1.3
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IMD10AT108产品详细信息

双电阻器双数字 NPN+PNP 晶体管，ROHM

IMD10AT108产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.9mm  
  尺寸  2.9 x 1.6 x 1.1mm  
  底座发射器电阻器  None  
  典型电阻比  0.01  
  典型输入电阻器  100 Ω  
  封装类型  SC-74  
  高度  1.1mm  
  晶体管类型  NPN，PNP  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.6mm  
  每片芯片元件数目  2  
  引脚数目  6  
  最大发射极-基极电压  5 V  
  最大功率耗散  300 mW  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.3 V  
  最大集电极-发射极电压  50 (NPN) V，-50 (PNP) V  
  最大连续集电极电流  100 (NPN) mA，-500 (PNP) mA  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  100  
关键词         

IMD10AT108相关搜索

安装类型 表面贴装  ROHM 安装类型 表面贴装  数字晶体管 安装类型 表面贴装  ROHM 数字晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.9mm  ROHM 长度 2.9mm  数字晶体管 长度 2.9mm  ROHM 数字晶体管 长度 2.9mm   尺寸 2.9 x 1.6 x 1.1mm  ROHM 尺寸 2.9 x 1.6 x 1.1mm  数字晶体管 尺寸 2.9 x 1.6 x 1.1mm  ROHM 数字晶体管 尺寸 2.9 x 1.6 x 1.1mm   底座发射器电阻器 None  ROHM 底座发射器电阻器 None  数字晶体管 底座发射器电阻器 None  ROHM 数字晶体管 底座发射器电阻器 None   典型电阻比 0.01  ROHM 典型电阻比 0.01  数字晶体管 典型电阻比 0.01  ROHM 数字晶体管 典型电阻比 0.01   典型输入电阻器 100 Ω  ROHM 典型输入电阻器 100 Ω  数字晶体管 典型输入电阻器 100 Ω  ROHM 数字晶体管 典型输入电阻器 100 Ω   封装类型 SC-74  ROHM 封装类型 SC-74  数字晶体管 封装类型 SC-74  ROHM 数字晶体管 封装类型 SC-74   高度 1.1mm  ROHM 高度 1.1mm  数字晶体管 高度 1.1mm  ROHM 数字晶体管 高度 1.1mm   晶体管类型 NPN，PNP  ROHM 晶体管类型 NPN，PNP  数字晶体管 晶体管类型 NPN，PNP  ROHM 数字晶体管 晶体管类型 NPN，PNP   晶体管配置 隔离式  ROHM 晶体管配置 隔离式  数字晶体管 晶体管配置 隔离式  ROHM 数字晶体管 晶体管配置 隔离式   宽度 1.6mm  ROHM 宽度 1.6mm  数字晶体管 宽度 1.6mm  ROHM 数字晶体管 宽度 1.6mm   每片芯片元件数目 2  ROHM 每片芯片元件数目 2  数字晶体管 每片芯片元件数目 2  ROHM 数字晶体管 每片芯片元件数目 2   引脚数目 6  ROHM 引脚数目 6  数字晶体管 引脚数目 6  ROHM 数字晶体管 引脚数目 6   最大发射极-基极电压 5 V  ROHM 最大发射极-基极电压 5 V  数字晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  ROHM 数字晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大功率耗散 300 mW  ROHM 最大功率耗散 300 mW  数字晶体管 最大功率耗散 300 mW  ROHM 数字晶体管 最大功率耗散 300 mW   最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  ROHM 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  ROHM 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V   最大集电极-发射极电压 50 (NPN) V，-50 (PNP) V  ROHM 最大集电极-发射极电压 50 (NPN) V，-50 (PNP) V  数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 (NPN) V，-50 (PNP) V  ROHM 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 (NPN) V，-50 (PNP) V   最大连续集电极电流 100 (NPN) mA，-500 (PNP) mA  ROHM 最大连续集电极电流 100 (NPN) mA，-500 (PNP) mA  数字晶体管 最大连续集电极电流 100 (NPN) mA，-500 (PNP) mA  ROHM 数字晶体管 最大连续集电极电流 100 (NPN) mA，-500 (PNP) mA   最高工作温度 +150 °C  ROHM 最高工作温度 +150 °C  数字晶体管 最高工作温度 +150 °C  ROHM 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 100  ROHM 最小直流电流增益 100  数字晶体管 最小直流电流增益 100  ROHM 数字晶体管 最小直流电流增益 100  
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TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

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TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 500MA SOT-457

RoHS: Compliant

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Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 6-Pin SMT T/R

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 6-Pin SMT T/R

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Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 6-Pin SMT T/R

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Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 6-Pin SMT T/R (Alt: IMD10AT108)

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Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA/500mA 6-Pin SMT T/R - Tape and Reel (Alt: IMD10AT108)

RoHS: Compliant

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IMD10AT108

RoHS: Compliant

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IMD10A Series 50 V 500 mA Surface Mount Dual NPN/PNP Digital Transistor - SC-74

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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IMD10AT108
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Rohm, Bip, Tr., BRT, IMD10AT108

RoHS: Compliant

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IMD10AT108
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Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN/PNP 50V 500MA SOT-457

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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IMD10A-T108
[更多]		 ROHM Semiconductor

Pre-biased "digital" Transistor, 50v V(br)ceo, 100ma I(c), Sot-457

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IMD10A-T108
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Pre-biased "digital" Transistor, 50v V(br)ceo, 100ma I(c), Sot-457

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IMD10A-T108
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Pre-biased "digital" Transistor, 50v V(br)ceo, 100ma I(c), Sot-457

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Rohm Semiconductor - IMD10AT108 - TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6		Rohm Semiconductor
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA, 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6

型号：IMD10AT108
仓库库存编号：IMD10AT108CT-ND
别名：IMD10AT108CT <br>

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ROHM Semiconductor - IMD10AT108 - IMD10AT108 BRT Tr. Bip Rohm|70600325 | ChuangWei Electronics		ROHM Semiconductor
Rohm, Bip, Tr., BRT, IMD10AT108

型号：IMD10AT108
仓库库存编号：70600325

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ROHM - IMD10AT108 - ROHM IMD10AT108 双 NPN，PNP 数字晶体管, 100 (NPN) mA,-500 (PNP) mA, Vce=50 (NPN) V，-50 (PNP) V, 100 Ω, 电阻比:0.01, 6引脚 SC-74封装
制造商零件编号：
IMD10AT108
品牌：
ROHM
库存编号：
826-8529
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IMD10AT108|Rohm SemiconductorIMD10AT108
Rohm Semiconductor		TRANS NPN/PNP 50V 500MA SOT-457
Rohs

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IMD10AT108产品技术参数资料

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