FJV3114RMTF,807-0956,Fairchild Semiconductor FJV3114RMTF NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装 ,Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor FJV3114RMTF NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装

制造商零件编号:
FJV3114RMTF
库存编号:
807-0956
Fairchild Semiconductor FJV3114RMTF
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FJV3114RMTF产品详细信息

双电阻器数字晶体管,Fairchild Semiconductor

FJV3114RMTF产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.92mm  
  尺寸  2.92 x 1.3 x 0.93mm  
  典型电阻比  0.1  
  典型输入电阻器  4.7 kΩ  
  封装类型  SOT-23  
  高度  0.93mm  
  晶体管类型  NPN  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.3mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  10 V  
  最大功率耗散  200 mW  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.3 V  
  最大集电极-发射极电压  50 V  
  最大连续集电极电流  100 mA  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  68  
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安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  数字晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.92mm  Fairchild Semiconductor 长度 2.92mm  数字晶体管 长度 2.92mm  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 长度 2.92mm   尺寸 2.92 x 1.3 x 0.93mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 2.92 x 1.3 x 0.93mm  数字晶体管 尺寸 2.92 x 1.3 x 0.93mm  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 尺寸 2.92 x 1.3 x 0.93mm   典型电阻比 0.1  Fairchild Semiconductor 典型电阻比 0.1  数字晶体管 典型电阻比 0.1  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 典型电阻比 0.1   典型输入电阻器 4.7 kΩ  Fairchild Semiconductor 典型输入电阻器 4.7 kΩ  数字晶体管 典型输入电阻器 4.7 kΩ  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 典型输入电阻器 4.7 kΩ   封装类型 SOT-23  Fairchild Semiconductor 封装类型 SOT-23  数字晶体管 封装类型 SOT-23  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 封装类型 SOT-23   高度 0.93mm  Fairchild Semiconductor 高度 0.93mm  数字晶体管 高度 0.93mm  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 高度 0.93mm   晶体管类型 NPN  Fairchild Semiconductor 晶体管类型 NPN  数字晶体管 晶体管类型 NPN  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  数字晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.3mm  Fairchild Semiconductor 宽度 1.3mm  数字晶体管 宽度 1.3mm  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 宽度 1.3mm   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  数字晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  数字晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 10 V  Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 10 V  数字晶体管 最大发射极-基极电压 10 V  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 最大发射极-基极电压 10 V   最大功率耗散 200 mW  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 200 mW  数字晶体管 最大功率耗散 200 mW  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 最大功率耗散 200 mW   最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V   最大集电极-发射极电压 50 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 50 V  数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V   最大连续集电极电流 100 mA  Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流 100 mA  数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  数字晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 68  Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 68  数字晶体管 最小直流电流增益 68  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 最小直流电流增益 68  
参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 操作
FJV3114RMTF
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ON Semiconductor

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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ON Semiconductor

Bipolar Transistors - Pre-Biased 50V/100mA/4.7K 47K

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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: FJV3114RMTF)

RoHS: Compliant

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FJV3114RMTF
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ON Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: FJV3114RMTF)

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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSIST

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Fairchild Semiconductor Corporation  

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Fairchild/ON Semiconductor - FJV3114RMTF - TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Fairchild/ON Semiconductor
TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

型号:FJV3114RMTF
仓库库存编号:FJV3114RMTFCT-ND
别名:FJV3114RMTFCT <br>

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Fairchild Semiconductor - FJV3114RMTF - Fairchild Semiconductor FJV3114RMTF NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装

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Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor
TRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT-23
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