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安装类型	表面贴装
长度	2.92mm
尺寸	2.92 x 1.3 x 0.93mm
典型电阻比	1
典型输入电阻器	47 kΩ
封装类型	SOT-23
高度	0.93mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	1.3mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	10 V
最大功率耗散	200 mW
最大集电极-发射极饱和电压	0.3 V
最大集电极-发射极电压	50 V
最大连续集电极电流	100 mA
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	68
关键词

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• FJV3104R, NPN Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor Data Sheet