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安装类型	通孔
长度	5.2mm
尺寸	5.2 x 4.19 x 5.33mm
典型电阻比	1
典型输入电阻器	22 kΩ
封装类型	TO-92
高度	5.33mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	4.19mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	10 V
最大功率耗散	300 mW
最大集电极-发射极饱和电压	0.3 V
最大集电极-发射极电压	50 V
最大连续集电极电流	100 mA
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	56
关键词

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  数字晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 安装类型 通孔   长度 5.2mm  Fairchild Semiconductor 长度 5.2mm  数字晶体管 长度 5.2mm  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 长度 5.2mm   尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm  数字晶体管 尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm   典型电阻比 1  Fairchild Semiconductor 典型电阻比 1  数字晶体管 典型电阻比 1  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 典型电阻比 1   典型输入电阻器 22 kΩ  Fairchild Semiconductor 典型输入电阻器 22 kΩ  数字晶体管 典型输入电阻器 22 kΩ  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 典型输入电阻器 22 kΩ   封装类型 TO-92  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-92  数字晶体管 封装类型 TO-92  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 封装类型 TO-92   高度 5.33mm  Fairchild Semiconductor 高度 5.33mm  数字晶体管 高度 5.33mm  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 高度 5.33mm   晶体管类型 NPN  Fairchild Semiconductor 晶体管类型 NPN  数字晶体管 晶体管类型 NPN  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  数字晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.19mm  Fairchild Semiconductor 宽度 4.19mm  数字晶体管 宽度 4.19mm  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 宽度 4.19mm   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  数字晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  数字晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 10 V  Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 10 V  数字晶体管 最大发射极-基极电压 10 V  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 最大发射极-基极电压 10 V   最大功率耗散 300 mW  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 300 mW  数字晶体管 最大功率耗散 300 mW  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 最大功率耗散 300 mW   最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.3 V   最大集电极-发射极电压 50 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 50 V  数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V   最大连续集电极电流 100 mA  Fairchild Semiconductor 最大连续集电极电流 100 mA  数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  数字晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 56  Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 56  数字晶体管 最小直流电流增益 56  Fairchild Semiconductor 数字晶体管 最小直流电流增益 56  

• FJN3303R, NPN Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor Data Sheet