NSVMUN5132T1G,805-4471,ON Semiconductor NSVMUN5132T1G PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SC-70封装 ,ON Semiconductor
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NSVMUN5132T1G
ON Semiconductor NSVMUN5132T1G PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SC-70封装
制造商零件编号：
NSVMUN5132T1G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
805-4471
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
NSVMUN5132T1G产品详细信息
双电阻器数字 PNP 晶体管，ON Semiconductor
标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
NSVMUN5132T1G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.2mm
尺寸
2.2 x 1.35 x 0.9mm
典型电阻比
1
典型输入电阻器
4.7 kΩ
封装类型
SC-70
高度
0.9mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
1.35mm
每片芯片元件数目
1
汽车标准
AEC-Q101
引脚数目
3
最大功率耗散
310 mW
最大集电极-发射极饱和电压
0.25 V
最大集电极-发射极电压
50 V
最大连续集电极电流
100 mA
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
15
关键词
NSVMUN5132T1G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
数字晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 数字晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2.2mm
ON Semiconductor 长度 2.2mm
数字晶体管 长度 2.2mm
ON Semiconductor 数字晶体管 长度 2.2mm
尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm
ON Semiconductor 尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm
数字晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm
ON Semiconductor 数字晶体管 尺寸 2.2 x 1.35 x 0.9mm
典型电阻比 1
ON Semiconductor 典型电阻比 1
数字晶体管 典型电阻比 1
ON Semiconductor 数字晶体管 典型电阻比 1
典型输入电阻器 4.7 kΩ
ON Semiconductor 典型输入电阻器 4.7 kΩ
数字晶体管 典型输入电阻器 4.7 kΩ
ON Semiconductor 数字晶体管 典型输入电阻器 4.7 kΩ
封装类型 SC-70
ON Semiconductor 封装类型 SC-70
数字晶体管 封装类型 SC-70
ON Semiconductor 数字晶体管 封装类型 SC-70
高度 0.9mm
ON Semiconductor 高度 0.9mm
数字晶体管 高度 0.9mm
ON Semiconductor 数字晶体管 高度 0.9mm
晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 晶体管类型 PNP
数字晶体管 晶体管类型 PNP
ON Semiconductor 数字晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
数字晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 数字晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.35mm
ON Semiconductor 宽度 1.35mm
数字晶体管 宽度 1.35mm
ON Semiconductor 数字晶体管 宽度 1.35mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
数字晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 数字晶体管 每片芯片元件数目 1
汽车标准 AEC-Q101
ON Semiconductor 汽车标准 AEC-Q101
数字晶体管 汽车标准 AEC-Q101
ON Semiconductor 数字晶体管 汽车标准 AEC-Q101
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
数字晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 数字晶体管 引脚数目 3
最大功率耗散 310 mW
ON Semiconductor 最大功率耗散 310 mW
数字晶体管 最大功率耗散 310 mW
ON Semiconductor 数字晶体管 最大功率耗散 310 mW
最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
ON Semiconductor 数字晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V
最大集电极-发射极电压 50 V
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最大连续集电极电流 100 mA
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数字晶体管 最大连续集电极电流 100 mA
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最低工作温度 -55 °C
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数字晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
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数字晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 15
ON Semiconductor 最小直流电流增益 15
数字晶体管 最小直流电流增益 15
ON Semiconductor 数字晶体管 最小直流电流增益 15
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NSVMUN5132T1G产品技术参数资料
Datasheet
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